Кафедра інформатики та прикладної математики: Recent submissions

  • Расчет однородного уширения бесфононных линий в примесных спектрах аморфных веществ 
    Никонова, Елена Петровна; Соловйов, Володимир Миколайович (Астропринт, 1999)
    Проведен расчет температурной зависимости однородно уширенных бесфононных линий в примесных центрах аморфных структур. Низкотемпературная зависимость полуширины линии у(Т) определяется явлением спектральной диффузии. При ...
  • Radiation-stimulated processes in Si surface layers 
    Jacobs, Patrick W. M.; Ків, Арнольд Юхимович; Соловйов, Володимир Миколайович; Maximova, Tatyana N. (Transport and Telecommunication Institute, 1999)
    Molecular dynamics computer simulations have been performed to study the character o disordering of atom configurations in Si surface layers. The relaxation of free Si surface was investigated. The main structural parameters ...
  • Моделирование стабилизации поверхности (001) Si низкоэнергетическими ионами 
    Ків, Арнольд Юхимович; Соловйов, Володимир Миколайович; Максимова, Татьяна Ивановна (Видавничий відділ КДПУ, 1999)
    Анализ особенностей формирования и влияния радиационных допороговых и послепороговых дефектов на основные физические процессы в полупроводниках привел нас к следующему предположению. Облучение поверхности ...
  • Radiation-stimulated processes in Si surface layers 
    Jacobs, Patrick W. M.; Ків, Арнольд Юхимович; Соловйов, Володимир Миколайович; Maximova, Tatyana N.; Chislov, Valery V. (SPIE, 1999)
    Molecular dynamics computer simulations have been perfonned to study the character of disordering of atom configurations in Si surface layers. The relaxation of free Si surface was investigated. The main structural parameters ...
  • Низкотемпературные аномалии физических свойств структурно-неупорядоченных материалов 
    Никонова, Елена Петровна; Соловйов, Володимир Миколайович (Видавництво Східноукраїнського державного університету, 1998)
    Низкотемпературные свойства неупорядоченных структур - стекол, аморфных, поликристаллических, сильнолегированных и облученных материалов, границ разделов - проявляют универсальные аномалии, не наблюдаемые в кристаллах. ...
  • Метастабильные дефекты и процессы деградации полупроводниковых приборов 
    Боско, Д. В.; Никонова, Елена Петровна; Соловйов, Володимир Миколайович; Дончев, И. И. (Астропринт, 1998-06-09)
    Теория флуктуонов Кривоглаза применена к описанию аморфного кремния (a-Si). Исследованы новые метастабильные дефекты в a-Si. Они возникают в результате взаимодействия атомов Н с флуктуонами. Предсказаны различные зависимости, ...
  • О природе туннельных состояний в аморфных тетраэдрических полупроводниках 
    Соловйов, Володимир Миколайович (1995)
    Проведено компьютерное моделирование флуктуаций локальных атомных потенциалов в аморфных кремнии и германии. Показано, что типичные флуктуации структурных параметров этих материалов приводят к значительному смягчению ...
  • Моделирование на ЭВМ явления эха в диэлектрических стеклах 
    Паршин, Д. А.; Соловйов, Володимир Миколайович (Издательство «Наука», 1991)
    Проведено численное исследование различных разновидностей диэлектрического эха в стеклах с учетом спектральной диффузии. Показано, что спектральная диффузия играет важную роль в затухании сигналов ротационного и двухимпульсного ...
  • Моделирование на ЭВМ спектральной диффузии в стеклах. Явление «выжженной дыры» и нелинейное резонансное поглощение 
    Паршин, Д. А.; Соловйов, Володимир Миколайович (Издательство «Наука», 1991)
    Проведен численный анализ влияния спектральной диффузии на нелинейное резонансное поглощение и выжженную дыру в стеклах, обусловленных двухуровневыми системами. Показано, что в стационарном случае при больших интенсивностях ...
  • Низкоэнергетические возбуждения в α-SiO2 
    Дядына, Г. А.; Карпов, В. Г.; Соловйов, Володимир Миколайович (Издательство «Наука», 1990)
    Проведено моделирование мягких атомных потенциалов в a-SiO2. Выявлены параметры, определяющие форму атомного потенциала. Изучены микроскопическая структура мягких атомных потенциалов, характерные значения их параметров и ...
  • Электронные состояния в аморфном полупроводнике с подвижными примесями. Термостимулированные процессы в α-Si:H 
    Алдабергенова, С. Б.; Карпов, В. Г.; Коугия, К. В.; Певцов, А. Б.; Соловйов, Володимир Миколайович; Феоктистов, Н. А. (Издательство «Наука», 1990)
    Экспериментально исследованы электрические и оптические свойства гидрогенизированного аморфного кремния в условиях высокой подвижности атомов водорода (при температурах порядка и выше комнатной). Измеренные величины ...
  • Atomic Particle Delocalisation Effect in Disordered Media 
    Соловйов, Володимир Миколайович (Wiley-VCH, 1984-06-16)
    Possible reasons are given of the higher diffusion rates of atoms (comparatively to crystals) in disordered condensed media (in metallic and oxide glasses, polycrystalline and amorphous semiconductors). It is ...
  • The grasshopper effect in the diamond lattice 
    Ків, Арнольд Юхимович; Соловйов, Володимир Миколайович (Wiley–VCH, 1979-07-01)
    The earlier notion of point defects in diamond-like crystals has by now undergone changes. The models of isolated vacancies and interstitials often prove inadequate for the interpretation of radiation effects. ...
  • Машинное моделирование генерации дефектов примесными комплексами 
    Соловйов, Володимир Миколайович; Тимошенко, Т. Г. (ЛИЯФ, 1980)
    Рассчитаны равновесные конфигурации дефектной области в кремнии в окрестности комплексов, содержащих фосфор и алюминий. Найдена возможность генерации комплек­сом (Al1 + V) точечных дефектов. Эти механизмы чувствительны ...
  • Флуктуации локальных атомных потенциалов в аморфных веществах 
    Дядына, Г. А.; Карпов, В. Г.; Соловйов, Володимир Миколайович; Хрисанов, Виктор Александрович (Издательство «Наука», 1989)
    Произведено исследование флуктуаций локальных атомных потенциалов в некри­сталлическом веществе. Основу исследования составляет моделирование случайной структуры a-SiO2 и a-Si на ЭВМ. Моделирование осуществлялось методом ...
  • Флуктуоны в аморфных веществах. Модель гидрогенизированного аморфного кремния 
    Карпов, В. Г.; Соловйов, Володимир Миколайович (Издательство «Наука», 1989)
    Рассмотрено взаимодействие подвижных нейтральных примесей с локализован­ными электронами в аморфном веществе. Энергетически выгодны флуктуоноподобные состояния с отличной от среднего значения концентрацией примеси в области ...
  • Квантовохимическое моделирование аморфного кремния 
    Ків, Арнольд Юхимович; Соловйов, Володимир Миколайович (Харьковский ордена Ленина и ордена Октябрьской революции физико-технический институт АН УССР, 1981)
    Методом квантовохимического моделирования исследованы равновесные конфигурации и диффузионные процессы в аморфном кремнии. В основе расчета - микрокристаллическая модель аморфной среды. В результате расчета потенциального ...
  • Туннельные состояния в аморфном кремнии 
    Соловйов, Володимир Миколайович; Хрисанов, Виктор Александрович (1989)
    Исследованы флуктуации локальных атомных потенциалов в аморфном кремнии. Пока­зано, что значительные флуктуации параметров потенциалов обеспечиваются типичными флуктуациями микроскопической структуры. Даны эмпирические ...
  • Density of vibrational states in glasses 
    Gal'perin, Yu. M.; Karpov, V. G.; Соловйов, Володимир Миколайович (Springer, 1988-11)
    A theory of the vibrational spectra of glasses, based on allowance for the statistical fluctuations of the local elastic constants, is proposed. The existence is established of two characteristic energies h, ...
  • О низкотемпературной теплоемкости аморфных веществ 
    Гальперин, Ю. М.; Карпов, В. Г.; Соловйов, Володимир Миколайович (Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 1988)
    Произведен расчет низкотемпературной теплоемкости аморфных веществ. Расчет основан на спектре возбуждений, возникающих в случайных атомных мягких потенциалах стекла. В области очень низких энергий, где эти возбуждения ...

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account