Abstract:
Проведен расчет температурной зависимости однородно уширенных бесфононных линий в примесных центрах аморфных структур. Низкотемпературная зависимость полуширины линии у(Т) определяется явлением спектральной диффузии. При высоких температурах доминирует рамановское рассеяние на избыточных квазилокальных возбуждениях.
Description:
1. Паршин Д. А. Модель мягких потенциалов и универсальные свойства стекол // ФТТ, 1994. — Т. 36. – С. 1809.
2. Соловьев В. Н. О природе туннельных состояний в аморфных тетраэдрических полупроводниках // ФТП, 1996. – Т. 30. – С. 278.
