Abstract:
Анализ особенностей формирования и влияния радиационных допороговых и послепороговых дефектов на основные физические процессы в полупроводниках привел нас к следующему предположению. Облучение поверхности кремния нейтральными ионами с энергиями, меньшими энергии дефектообразования Ed может способствовать переходу ее структуры в энергетически более стабильное состояние. Этот метод стабилизации поверхности может быть более предпочтительным, чем использование распространенной в настоящее время ионной
бомбардировки с энергиями ионов порядка нескольких килоэлектронвольт, которая может приводить к значительным перестройкам приповерхностных слоев.
Description:
1. Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела
полупроводников: Пер. с англ. – М.: Мир, 1990. – 488с.
2. Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. – М.: Наука.,
Главная редакция физ.-мат. литературы, 1981. – 368с.
3. Хеерман Д.В. Методы компьютерного эксперимента в теоретической физике: Пер. с англ. / Под. ред. С.А.Ахманова. - М:
Наука. Гл. ред. физ.- мат. лит., 1990. - 176 с.
4. F. Stillinger, T. Weber, New interatomic potential for Si, Phys.
Rev. B 31, 5262 (1985).
5. I. Ohdomari, H. Akatsu, The structural models of the Si/Si02
interface, Non-Cryst. Sol. 89 239-248 (1987).
6. Максимова Т.И. Компьютерное моделирование радиационно-стимулированной стабилизации (001) Si поверхности.//
Фотоэлектроника, № 8, 1998.
7. Ishimaru M., Munetoh S. Generation of amorphous silicon
structure by rapid quenching: A molecular-dynamics study.//
Phys.Rev., B 56 (23), 15133-15138 (1997).
8. K.Inoue, Y. Moricawa, Order-disorder phase transition on the Si
(001) surface: Critical role of dimer defects, Phys.Rev., B 49
(20), 14774-14777 (1994).
