JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
| dc.contributor.author | Ків, Арнольд Юхимович | |
| dc.contributor.author | Соловйов, Володимир Миколайович | |
| dc.contributor.author | Максимова, Татьяна Ивановна | |
| dc.date.accessioned | 2017-07-08T18:30:00Z | |
| dc.date.available | 2017-07-08T18:30:00Z | |
| dc.date.issued | 1999 | |
| dc.identifier.citation | Кив А. Е. Моделирование стабилизации поверхности (001) Si низкоэнергетическими ионами / А. Е. Кив, В. Н. Соловьев, Т. И. Максимова // Комп’ютерне моделювання та інформаційні технології в освітній діяльності. – Кривий Ріг, 1999. – С. 7-11. | uk |
| dc.identifier.uri | http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1022 | |
| dc.identifier.uri | https://doi.org/10.31812/0564/1022 | |
| dc.description | 1. Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников: Пер. с англ. – М.: Мир, 1990. – 488с. 2. Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. – М.: Наука., Главная редакция физ.-мат. литературы, 1981. – 368с. 3. Хеерман Д.В. Методы компьютерного эксперимента в теоретической физике: Пер. с англ. / Под. ред. С.А.Ахманова. - М: Наука. Гл. ред. физ.- мат. лит., 1990. - 176 с. 4. F. Stillinger, T. Weber, New interatomic potential for Si, Phys. Rev. B 31, 5262 (1985). 5. I. Ohdomari, H. Akatsu, The structural models of the Si/Si02 interface, Non-Cryst. Sol. 89 239-248 (1987). 6. Максимова Т.И. Компьютерное моделирование радиационно-стимулированной стабилизации (001) Si поверхности.// Фотоэлектроника, № 8, 1998. 7. Ishimaru M., Munetoh S. Generation of amorphous silicon structure by rapid quenching: A molecular-dynamics study.// Phys.Rev., B 56 (23), 15133-15138 (1997). 8. K.Inoue, Y. Moricawa, Order-disorder phase transition on the Si (001) surface: Critical role of dimer defects, Phys.Rev., B 49 (20), 14774-14777 (1994). | |
| dc.description.abstract | Анализ особенностей формирования и влияния радиационных допороговых и послепороговых дефектов на основные физические процессы в полупроводниках привел нас к следующему предположению. Облучение поверхности кремния нейтральными ионами с энергиями, меньшими энергии дефектообразования Ed может способствовать переходу ее структуры в энергетически более стабильное состояние. Этот метод стабилизации поверхности может быть более предпочтительным, чем использование распространенной в настоящее время ионной бомбардировки с энергиями ионов порядка нескольких килоэлектронвольт, которая может приводить к значительным перестройкам приповерхностных слоев. | uk |
| dc.language.iso | ru | uk |
| dc.publisher | Видавничий відділ КДПУ | uk |
| dc.subject | компьютерное моделирование | uk |
| dc.subject | стабилизация поверхности | uk |
| dc.subject | кремний | uk |
| dc.subject | низкоэнергетические ионы | uk |
| dc.subject | метод молекулярной динамики | uk |
| dc.subject | потенциал Стиллинджера-Вебера | uk |
| dc.subject | потенциал Китинга | uk |
| dc.subject | алгоритм Верле | uk |
| dc.title | Моделирование стабилизации поверхности (001) Si низкоэнергетическими ионами | uk |
| dc.type | Article | uk |
