Возможность управления свойствами полупроводников путем ионной бомбардировки, в частности, применение этого метода для очистки поверхности представляет значительный практический интерес. Основной задачей нашего ...

В последние годы уделяется большое внимание поиску новых материалов с уникальными физическими свойствами. Примером таких структур являются малые кластеры Si расширенного объема, а так же кремниевые структуры, близкие по ...

Проведены ab initio расчёты нового типа дефекта в материалах с ковалентными связями - ориентационного дефекта (ОД). ОД представляет собой типичное дефектное состояние в аморфном тетраэдрическом ...