Abstract:
Возможность управления свойствами полупроводников путем ионной бомбардировки, в частности, применение этого метода для очистки поверхности представляет значительный практический интерес. Основной задачей нашего исследования являлось выявление с помощью методов компьютерного моделирования наиболее благоприятных условий применения радиационной обработки поверхности с целью ее стабилизации.
Description:
1. Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела
полупроводников: Пер. с англ. – М.: Мир, 1990. – 488 с.
2. Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. – М.: Наука.,
Главная редакция физ.-мат. литературы, 1981. – 368 с.
3. Вавилов В.С., Ухин Н.А. Радиационные дефекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. – М.: Атомиздат,
1969. – 312 с.
4. Хеерман Д.В. Методы компьютерного эксперимента в теоретической физике: Пер. с англ. / Под. ред. С.А.Ахманова. – М:
Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1990. – 176 с.
5. F. Stillinger, T. Weber, New interatomic potential for Si, Phys.
Rev. B 31, 5262 (1985).
6. I. Ohdomari, H. Akatsu, The structural models of the Si/Si02
interface, Non-Cryst. Sol. 89 239-248 (1987).
7. M.Z. Bazant, E. Kaxiras, Environment-dependent interatomic
potential for bulk silicon, Phys.Rev, B 56(14), 8542-8552 (1997).
8. V.V. Kovalchuk, V.V. Chislov, V.A. Yanchuk, Cluster model of
the real silicon surface, Phys. Stat. Sol. (b) 187, K47 (1995).
