Abstract:
В рамках данного исследования нас интересовала реконструкция поверхности Si (001) и приповерхностных слоев, на глубине порядка нескольких постоянных решетки кремния. Моделирование поверхности кремния проведено методом молекулярной динамики с использованием полуэмпирических потенциалов. В работе исследовано влияние температурных условий в диапазоне от 100 К
до 1500 К на динамику реконструкции.
