DSpace Repository
Влияние режима формирования поверхности Si (001) на ее атомную реконструкцию
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
| dc.contributor.author | Ків, Арнольд Юхимович | |
| dc.contributor.author | Соловйов, Володимир Миколайович | |
| dc.contributor.author | Максимова, Татьяна Ивановна | |
| dc.date.accessioned | 2017-07-11T06:15:06Z | |
| dc.date.available | 2017-07-11T06:15:06Z | |
| dc.date.issued | 2003 | |
| dc.identifier.citation | Кив А. Е. Влияние режима формирования поверхности Si (001) на ее атомную реконструкцию / А. Е. Кив, В. Н. Соловьев, Т. И. Максимова // Комп’ютерне моделювання та інформаційні технології в науці, економіці та освіті : збірник наукових праць. – Черкаси, 2003. – С. 53-54. | uk |
| dc.identifier.uri | http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1038 | |
| dc.identifier.uri | https://doi.org/10.31812/0564/1038 | |
| dc.description.abstract | В рамках данного исследования нас интересовала реконструкция поверхности Si (001) и приповерхностных слоев, на глубине порядка нескольких постоянных решетки кремния. Моделирование поверхности кремния проведено методом молекулярной динамики с использованием полуэмпирических потенциалов. В работе исследовано влияние температурных условий в диапазоне от 100 К до 1500 К на динамику реконструкции. | uk |
| dc.language.iso | ru | uk |
| dc.publisher | Брама ІСУЕП | uk |
| dc.subject | поверхность Si (001) | uk |
| dc.subject | атомная реконструкция | uk |
| dc.subject | метод молекулярной динамики | uk |
| dc.subject | компьютерное моделирование | uk |
| dc.subject | полуэмпирические потенциалы | uk |
| dc.subject | потенциал Стиллинджера-Вебера | uk |
| dc.subject | алгоритм Верле | uk |
| dc.subject | степень симметрии | uk |
| dc.subject | глубина перестройки | uk |
| dc.title | Влияние режима формирования поверхности Si (001) на ее атомную реконструкцию | uk |
| dc.type | Article | uk |
