DSpace Repository

Browsing Кафедра інформатики та прикладної математики by Author "Дядына, Г. А."

Browsing Кафедра інформатики та прикладної математики by Author "Дядына, Г. А."

Sort by: Order: Results:

  • Влияние микроструктуры поликристаллических пленок металлизации на процесс электродиффузии 
    Синкевич, В. Ф.; Соловйов, Володимир Миколайович; Дядына, Г. А. (1984)
    На основе теории протекания в не­упорядоченных средах получены аналитические выражения, опреде­ляющие зависимость энергии акти­вации электродиффузионных отка­зов от структуры тонкопленочной металлизации. Результаты ...
  • Низкоэнергетические возбуждения в α-SiO2 
    Дядына, Г. А.; Карпов, В. Г.; Соловйов, Володимир Миколайович (Издательство «Наука», 1990)
    Проведено моделирование мягких атомных потенциалов в a-SiO2. Выявлены параметры, определяющие форму атомного потенциала. Изучены микроскопическая структура мягких атомных потенциалов, характерные значения их параметров и ...
  • О микромеханизмах электродиффузионных отказов тонкопленочной металлизации 
    Соловйов, Володимир Миколайович; Синкевич, В. Ф.; Дядына, Г. А. (1985)
    Теория протекания привлечена для вычисления ионной проводимости поликристаллической пленки. Показано, что кинетику электродиффузионных отказов тонкопленочной ме­таллизации определяет зависящая от степени структурного ...
  • Процессы атомной диффузии в неупорядоченных системах 
    Дядына, Г. А.; Соловйов, Володимир Миколайович; Хрисанов, В. А. (Центральный научно-исследовательский институт "Электроника", 1988)
    Рассмотрены теоретические и экспериментальные данные об атомной диффузии в неупорядоченных системах (аморфных и поликристаллических материалах, различных приборных струк­турах). Описано влияние всевозможных факторов на ...
  • Флуктуации локальных атомных потенциалов в аморфных веществах 
    Дядына, Г. А.; Карпов, В. Г.; Соловйов, Володимир Миколайович; Хрисанов, Виктор Александрович (Издательство «Наука», 1989)
    Произведено исследование флуктуаций локальных атомных потенциалов в некри­сталлическом веществе. Основу исследования составляет моделирование случайной структуры a-SiO2 и a-Si на ЭВМ. Моделирование осуществлялось методом ...

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account