Abstract:
Теория протекания привлечена для вычисления ионной проводимости поликристаллической пленки. Показано, что кинетику электродиффузионных отказов тонкопленочной металлизации определяет зависящая от степени структурного совершенства пленки энергия активации миграции ионов. Получено выражение для предэкспоненциального множителя коэффициента диффузии. В субмикронных пленках обнаружено возрастание энергии активации за счет изменения топологии "путей протекания" ионов. Экспериментальные данные по времени наработки удовлетворительно согласуются с развитыми представлениями.
Description:
[1] Колешко В. М., Белицкий В. А . Массоперенос в тонких пленках. Минск: Наука и техника, 1980. 428 с. [2] Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции / Под ред. Поута Дж., Ту К., Мейера Дж. М.: Мир, 1982. 576 с. [3] Нечаев А. М., Рубаха Е. А., Синкевич В. Ф. Механизмы отказов и надежность мощных СВЧ транзисторов. — Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, 1978, в. 10 (577), с. 1— 80. [4] Бонч-Бруевич В. Л., Звягин И. П., Кайпер Р. и др. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. М.: Наука, 1981. 384 с. [5] Шкловский Б. И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979. 416 с. Р Л [6] Соловьев В. Н. Диффузия в аморфных металлических слоях. — ФММ, 1982, т. 54 № 5 с. 876—879. [7] Schreiber H.-U., Grabe В. Electromigration measuring techniques for grain boundary diffusion activation energy in aluminum. — Solid State Electron., 1981, v. 24, № 12, p. 1135-1146. [8] Pierce J. M., Thomas M. E. Electromigration in aluminum conductors which are chains of single crystals. — Appl. Phys. Lett., 1981, v. 39, № 2, p. 165— 169. [9] Christon A., Anderson W. T. Jr., Bark M. L. et al. Reliability of amorphous metallizations for GaAs FETS. — In: 20th Ann. Proced. Reliab. Phys., Calif., San-Diego, 1982, p. 188 — 193.
