Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1210| Назва: | Thermally Induced Metastable Processes in Amorphous Hydrogenerated Silicon. Fluction Model of a-Si:H |
| Автори: | Aldabergenova, S. B. Feokstistov, N. A. Karpov, V. G. Koughia, K. V. Pevtsov, A. B. Соловйов, Володимир Миколайович |
| Ключові слова: | hydrogen diffusion hydrogenated amorphous silicon fiuctuonic states |
| Дата публікації: | 1990 |
| Видавництво: | World Scientific |
| Бібліографічний опис: | Aldabergenova S. B. Thermally Induced Metastable Processes in Amorphous Hydrogenerated Silicon. Fluction Model of a-Si:H / S. B. Aldabergenova, N. A. Feokstistov, V. G. Karpov, K. V. Koughia, A. B. Pevtsov, V. N. Solovijev // Transport, Correlation and Structural Defects / Edited by Hellmut Fritzsche. – Singapore, New Jersey, London, Hong Kong : World Scientific, 1990. – Pp. 129-158. – (Advances in Disordered Semiconductors, Vol. 3). |
| Серія/номер: | Advances in Disordered Semiconductors;3 |
| Короткий огляд (реферат): | In this paper we discuss some new experimental results regarding the changes in the electronic properties of undoped a-Si:H under different conditions of thermal annealing and cooling which govern hydrogen diffusion. The following interpretation consists of two parts: the first is a phenomenological model and the second is its microscopic concretization. The proposed phenomenological model is free from assumptions about the detailed mechanism of the interaction between electrons and the hydrogen subsystem. |
| Опис: | 8. A.A. Andreev, T.A. Sidorova, E.A. Kazakova, M.S. Ablova, A. Ya. Vinogradov, Fiz. Tech. Poluprov. 20. 1469 (1986); Sov. Phys. Semicond. 20. 1469 (1986). 9. ZE. Smith and S. Wagner, Phys. Rev. Lett. 52. 688 (1987). 10. K. Shepard, ZE. Smith, S. Aljishi and S. Wagner, Appl. Phys. Lett 25. 1644 (1988). 11. T.J. McMahon and R. Tsu, Appl. Phys. Lett. 5L 412 (1987). 12. V.G. Karpov. V.N. Solovijev, Fiz. Tverdogo Tela, 2L 5 (1989); Sov. Phys. Solid. State, 2L 5 (1989). 13. T. Tiedje, 1984, in "The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II", edited by J.D. Joannopoulos and G. Lucovsky (Springer-Verlag, Berlin, 1984) P 14. R.A. Street, C.C. Tsai, J. Kakalios and W.B. Jackson, Philos. Mag. B 56. 305, (1987). 15. M. Vanecec, J. Kocka, J. Stuchlik, Z. Kozisek, O. Stika, A. Triska, Sol. Energy Mater. 8, 411 (1983). 16. P.W. Anderson, B.I. Halperin and C.M. Verma, Philos. Mag. 25. 1 (1975). 17. "Amorphous Solids: Low Temperature Properties", ed. by W.A. Phillips (Springer-Verlag, Berlin, 1981). 18. M. Stutzmann, W.B. Jackson and C.C. Tsai, Phys. Rev. B 22, 23 (1985). 19. D. Redfield, J. Non-Cryst. Solids 97/98. 783 (1987). 20. L. Ley, 1984, in "The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II", edited byJ.D. Joannopoulos and G. Lucovsky (Springer-Verlag, Berlin, 1984) p 21. M.A. Krivoglaz, Uspehi Fiz. Nauk, 111. 617 (1973) (in Russian). 22. R.A. Street, Adv. in Phys. 20. 593 (1981). 23. V.N. Solovijev, Phys. Stat. Solidi (a) 82. 553 (1984). 24. D.L. Staebler and C.R. Wronski, J. Appl. Phys. 5L 3262 (1980). |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1210 https://doi.org/10.1142/9789814368377_0004 |
| ISBN: | 9971-50-973-3 |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра інформатики та прикладної математики |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 9789814368377_S.pdf | Article | 7.12 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.