Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1210

Повний запис метаданих

Поле DC	Значення	Мова
dc.contributor.author	Aldabergenova, S. B.	-
dc.contributor.author	Feokstistov, N. A.	-
dc.contributor.author	Karpov, V. G.	-
dc.contributor.author	Koughia, K. V.	-
dc.contributor.author	Pevtsov, A. B.	-
dc.contributor.author	Соловйов, Володимир Миколайович	-
dc.date.accessioned	2017-08-01T21:39:31Z	-
dc.date.available	2017-08-01T21:39:31Z	-
dc.date.issued	1990	-
dc.identifier.citation	Aldabergenova S. B. Thermally Induced Metastable Processes in Amorphous Hydrogenerated Silicon. Fluction Model of a-Si:H / S. B. Aldabergenova, N. A. Feokstistov, V. G. Karpov, K. V. Koughia, A. B. Pevtsov, V. N. Solovijev // Transport, Correlation and Structural Defects / Edited by Hellmut Fritzsche. – Singapore, New Jersey, London, Hong Kong : World Scientific, 1990. – Pp. 129-158. – (Advances in Disordered Semiconductors, Vol. 3).	uk
dc.identifier.isbn	9971-50-973-3	-
dc.identifier.uri	http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1210	-
dc.identifier.uri	https://doi.org/10.1142/9789814368377_0004	-
dc.description	8. A.A. Andreev, T.A. Sidorova, E.A. Kazakova, M.S. Ablova, A. Ya. Vinogradov, Fiz. Tech. Poluprov. 20. 1469 (1986); Sov. Phys. Semicond. 20. 1469 (1986). 9. ZE. Smith and S. Wagner, Phys. Rev. Lett. 52. 688 (1987). 10. K. Shepard, ZE. Smith, S. Aljishi and S. Wagner, Appl. Phys. Lett 25. 1644 (1988). 11. T.J. McMahon and R. Tsu, Appl. Phys. Lett. 5L 412 (1987). 12. V.G. Karpov. V.N. Solovijev, Fiz. Tverdogo Tela, 2L 5 (1989); Sov. Phys. Solid. State, 2L 5 (1989). 13. T. Tiedje, 1984, in "The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II", edited by J.D. Joannopoulos and G. Lucovsky (Springer-Verlag, Berlin, 1984) P 14. R.A. Street, C.C. Tsai, J. Kakalios and W.B. Jackson, Philos. Mag. B 56. 305, (1987). 15. M. Vanecec, J. Kocka, J. Stuchlik, Z. Kozisek, O. Stika, A. Triska, Sol. Energy Mater. 8, 411 (1983). 16. P.W. Anderson, B.I. Halperin and C.M. Verma, Philos. Mag. 25. 1 (1975). 17. "Amorphous Solids: Low Temperature Properties", ed. by W.A. Phillips (Springer-Verlag, Berlin, 1981). 18. M. Stutzmann, W.B. Jackson and C.C. Tsai, Phys. Rev. B 22, 23 (1985). 19. D. Redfield, J. Non-Cryst. Solids 97/98. 783 (1987). 20. L. Ley, 1984, in "The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II", edited byJ.D. Joannopoulos and G. Lucovsky (Springer-Verlag, Berlin, 1984) p 21. M.A. Krivoglaz, Uspehi Fiz. Nauk, 111. 617 (1973) (in Russian). 22. R.A. Street, Adv. in Phys. 20. 593 (1981). 23. V.N. Solovijev, Phys. Stat. Solidi (a) 82. 553 (1984). 24. D.L. Staebler and C.R. Wronski, J. Appl. Phys. 5L 3262 (1980).	-
dc.description.abstract	In this paper we discuss some new experimental results regarding the changes in the electronic properties of undoped a-Si:H under different conditions of thermal annealing and cooling which govern hydrogen diffusion. The following interpretation consists of two parts: the first is a phenomenological model and the second is its microscopic concretization. The proposed phenomenological model is free from assumptions about the detailed mechanism of the interaction between electrons and the hydrogen subsystem.	uk
dc.language.iso	en	uk
dc.publisher	World Scientific	uk
dc.relation.ispartofseries	Advances in Disordered Semiconductors;3	-
dc.subject	hydrogen diffusion	uk
dc.subject	hydrogenated amorphous silicon	uk
dc.subject	fiuctuonic states	uk
dc.title	Thermally Induced Metastable Processes in Amorphous Hydrogenerated Silicon. Fluction Model of a-Si:H	uk
dc.type	Book chapter	uk
Розташовується у зібраннях:	Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:

Файл	Опис	Розмір	Формат
9789814368377_S.pdf	Article	7.12 MB	Adobe PDF	Переглянути/Відкрити

Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики

Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.