Abstract:
Рассчитаны равновесные конфигурации дефектной области в кремнии в окрестности комплексов, содержащих фосфор и алюминий. Найдена возможность генерации комплексом (Al1 + V) точечных дефектов. Эти механизмы чувствительны к конфигурациям о повернутыми связями. Полученные результаты использованы для уточнения механизмов миграции примесей III и V групп в Si, а также расшифровки процессов естественного старения полупроводников и полупроводниковых приборов.
Description:
1. А.Е. Кив , B.Н. Соловьев . В сб . "Методические материалы по машинному моделированию дефектов в кристаллах", 59 , Кривой Рог , 1978.
2 . 3. А. Искандерова, А.Е. Кив , В.Н. Соловьев, ФТП. 11 , 199 (1977),
3 . В.Л. Инденбом. Письма в ЖТФ, 5 , 489 (1979).
4. A.Е. Kіv , V.H. Soloviev, Phys. Stat. Sol.(b), 94, K91(1979).
