Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1210
Назва: Thermally Induced Metastable Processes in Amorphous Hydrogenerated Silicon. Fluction Model of a-Si:H
Автори: Aldabergenova, S. B.
Feokstistov, N. A.
Karpov, V. G.
Koughia, K. V.
Pevtsov, A. B.
Soloviev, Vladimir N.
Ключові слова: hydrogen diffusion
hydrogenated amorphous silicon
fiuctuonic states
Дата публікації: 1990
Видавництво: World Scientific
Бібліографічний опис: Aldabergenova S. B. Thermally Induced Metastable Processes in Amorphous Hydrogenerated Silicon. Fluction Model of a-Si:H / S. B. Aldabergenova, N. A. Feokstistov, V. G. Karpov, K. V. Koughia, A. B. Pevtsov, V. N. Solovijev // Transport, Correlation and Structural Defects / Edited by Hellmut Fritzsche. – Singapore, New Jersey, London, Hong Kong : World Scientific, 1990. – P. 129-158. – (Advances in Disordered Semiconductors, Vol. 3).
Серія/номер: Advances in Disordered Semiconductors;3
Короткий огляд (реферат): In this paper we discuss some new experimental results regarding the changes in the electronic properties of undoped a-Si:H under different conditions of thermal annealing and cooling which govern hydrogen diffusion. The following interpreta­tion consists of two parts: the first is a phenomenological model and the second is its microscopic concretization. The proposed phenomenological model is free from assumptions about the detailed mechanism of the interaction between electrons and the hydrogen subsystem.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1210
ISBN: 9971-50-973-3
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
9789814368377_S.pdfArticle7,12 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.