Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1033
Назва: Silicon-aluminum bonding in Al alloys
Автори: Kiv, Arnold E.
Fuks, D.
Moiseenko, Natalie V.
Soloviev, Vladimir N.
Ключові слова: Si-Al alloys
ab-initio band calculations
Дата публікації: 2002
Видавництво: Transport and Telecommunication Institute
Бібліографічний опис: Kiv A. E. Silicon-aluminum bonding in Al alloys / A. E. Kiv, D. Fuks, N. V. Moiseenko, V. N. Solovyov // Computer Modelling & New Technologies. – 2002. – Volume 6. – No. 1. – P. 47-50.
Короткий огляд (реферат): Ab initio calculation was performed to investigate the nature of Si-Al bonding in Al based alloys. Total electronic energy Etot for different configurations of the model cluster Si2Al6 was calculated. When the model cluster consists of two perfect tetrahedrons there is a strong influence of the Si-Si distance on the Si-Al adiabatic potential. The equilibrium distance between Si and Al atoms increases with the length of Si-Si bond increasing. It was concluded that description of Si clusters in Al matrix demands an account of the angle depending part of Si-Al interaction.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1033
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
art04_kiv2_ssp_2002_vol_6_no_1.pdfArticle206,63 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.