Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1033
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorКів, Арнольд Юхимович-
dc.contributor.authorFuks, D.-
dc.contributor.authorМоісеєнко, Наталя Володимирівна-
dc.contributor.authorСоловйов, Володимир Миколайович-
dc.date.accessioned2017-07-09T18:29:35Z-
dc.date.available2017-07-09T18:29:35Z-
dc.date.issued2002-
dc.identifier.citationKiv A. E. Silicon-aluminum bonding in Al alloys / A. E. Kiv, D. Fuks, N. V. Moiseenko, V. N. Solovyov // Computer Modelling & New Technologies. – 2002. – Volume 6. – No. 1. – P. 47-50.uk
dc.identifier.urihttp://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1033-
dc.description.abstractAb initio calculation was performed to investigate the nature of Si-Al bonding in Al based alloys. Total electronic energy Etot for different configurations of the model cluster Si2Al6 was calculated. When the model cluster consists of two perfect tetrahedrons there is a strong influence of the Si-Si distance on the Si-Al adiabatic potential. The equilibrium distance between Si and Al atoms increases with the length of Si-Si bond increasing. It was concluded that description of Si clusters in Al matrix demands an account of the angle depending part of Si-Al interaction.uk
dc.language.isoenuk
dc.publisherTransport and Telecommunication Instituteuk
dc.subjectSi-Al alloysuk
dc.subjectab-initio band calculationsuk
dc.titleSilicon-aluminum bonding in Al alloysuk
dc.typeArticleuk
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
art04_kiv2_ssp_2002_vol_6_no_1.pdfArticle206,63 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.