Description:
1. Болтакс Б.И. Процессы диффузии в полупроводниках и деградация (старение) полупроводниковых структур //
Ученые записки Тартуского государственного университета, 1976, вып.
379, с. 3-9.
2. Птащенко А. А. Деградация светоизлучающих диодов (Обзор). - Журнал прикладной спектроскопии, 1980,
вып. З, т. 33, с. 781-803 3. Фистуль В. И. Особые случаи распада полупроводниковых твердых
растворов. - Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов, Кишинев, 1982,
ч. 1, с.11-12.
4. Меламедов И. В. Физические основы надежности. - Л.: Энергия,
1970. - 316 с.
5. Ху С. Диффузия в кремнии и германии. - В кн.: Атомная диффузия в
полупроводниках. - М.: Мир, 1975. - 684 с.
6. Strunk Н., Gogele U., Kolbesen В. O. Interstitial supereaturation near phosphorus—diffused
emiter zones in silicon. - AppI, Phys.Lett., 1979, v. 34, N 8, p. 530-532.
7. Fair R. В. Oxidation impurity diffusion, and defect growth in silicon - an overview, - J .Electtochem, Soc., 1981, v. 128, N 6,
p. 1360-1368.
8. Watkins G.D, EPR studies of the
lattice vacancy and low temperature damage processes in silicon , —
In: Lattice Defects in Semiconductors. Conf. Ser. N 23, Inst. of
Phys London-Bristol, 1975, p.1-22.
9. Кив А. Е., Соловьев B.H. Примесные комплексы-генераторы дефектов. - ФТП. т. 22, № 9 8й 9, с. 2575-
2577.
10. Кив А.Е., Искандерова 3.А.,
Соловьев В.Н. О механизме образования Е—центра в кремнии. — ФТП, т. 11, № 1, с. 199-201.
11. Hirata М., Saito Н, The interaction of point defects with impurities in silicon. - J.Phys. Soc. Japan, 1969, v. 27, N 2, p. 405-414.
12. Вопросы радиационной технологии полупроводников / Под ред. Л.С. Смирнова. - Новосибирск: Наука, 1980. - 296 с.
13. Вавилов В.С., Кив А. E., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. - М.: Наука, 1981. -
368 с.
