Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1266| Назва: | Об одном механизме естественного старения планарных структур |
| Автори: | Горин, Б. М. Лихман, A. В. Радюк, И. А. Соловйов, Володимир Миколайович Хрисанов, В. А. |
| Ключові слова: | старение планарные структуры моделирование полупроводниковые приборы |
| Дата публікації: | 1983 |
| Бібліографічний опис: | Горин Б. М. Об одном механизме естественного старения планарных структур / Б. М. Горин, A. В. Лихман, И. А. Радюк, В. Н. Соловьев, В. А. Хрисанов // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. – 1983. – Вып. 5 (164). – С. 29-32. |
| Короткий огляд (реферат): | Показано, что взаимодействие примесного атома с атомами матрицы может определять процессы естественного старения кремниевых планарных структур за счет образования глубоких рекомбинационных центров. |
| Опис: | 1. Болтакс Б.И. Процессы диффузии в полупроводниках и деградация (старение) полупроводниковых структур // Ученые записки Тартуского государственного университета, 1976, вып. 379, с. 3-9. 2. Птащенко А. А. Деградация светоизлучающих диодов (Обзор). - Журнал прикладной спектроскопии, 1980, вып. З, т. 33, с. 781-803 3. Фистуль В. И. Особые случаи распада полупроводниковых твердых растворов. - Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов, Кишинев, 1982, ч. 1, с.11-12. 4. Меламедов И. В. Физические основы надежности. - Л.: Энергия, 1970. - 316 с. 5. Ху С. Диффузия в кремнии и германии. - В кн.: Атомная диффузия в полупроводниках. - М.: Мир, 1975. - 684 с. 6. Strunk Н., Gogele U., Kolbesen В. O. Interstitial supereaturation near phosphorus—diffused emiter zones in silicon. - AppI, Phys.Lett., 1979, v. 34, N 8, p. 530-532. 7. Fair R. В. Oxidation impurity diffusion, and defect growth in silicon - an overview, - J .Electtochem, Soc., 1981, v. 128, N 6, p. 1360-1368. 8. Watkins G.D, EPR studies of the lattice vacancy and low temperature damage processes in silicon , — In: Lattice Defects in Semiconductors. Conf. Ser. N 23, Inst. of Phys London-Bristol, 1975, p.1-22. 9. Кив А. Е., Соловьев B.H. Примесные комплексы-генераторы дефектов. - ФТП. т. 22, № 9 8й 9, с. 2575- 2577. 10. Кив А.Е., Искандерова 3.А., Соловьев В.Н. О механизме образования Е—центра в кремнии. — ФТП, т. 11, № 1, с. 199-201. 11. Hirata М., Saito Н, The interaction of point defects with impurities in silicon. - J.Phys. Soc. Japan, 1969, v. 27, N 2, p. 405-414. 12. Вопросы радиационной технологии полупроводников / Под ред. Л.С. Смирнова. - Новосибирск: Наука, 1980. - 296 с. 13. Вавилов В.С., Кив А. E., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. - М.: Наука, 1981. - 368 с. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1266 https://doi.org/10.31812/0564/1266 |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра інформатики та прикладної математики |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Об одном механизме естественного старения планарных структур.pdf | Статья | 4.88 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.