Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1245| Назва: | Microstructure of the relaxed (001) Si surface |
| Автори: | Ків, Арнольд Юхимович Maximova, T. I. Соловйов, Володимир Миколайович |
| Ключові слова: | molecular dynamics semi-empirical potential periodic boundary conditions angle distribution function quasi-disordered phase |
| Дата публікації: | гру-1999 |
| Бібліографічний опис: | Kiv A. E. Microstructure of the relaxed (001) Si surface / A. E. Kiv, T. I. Maximova, V. N. Soloviev // The 9th Israel Material Engineering Conference – IMEC-9: Programs and Abstracts; The 28th Annual Conference of the Israeli Polymers & Plastics Society; In Conjunction with the Israel Materials & Processes Society. December 6-7, 1999. Technion - Israel Institute of Technology, Haifa, Israel. – P. 193. |
| Короткий огляд (реферат): | We have applied molecular dynamics method and semi-empirical potential [1] to obtain the realistic picture of Si surface layers relaxation.The starting configuration was taken as a parallelepiped containing 864 atoms. There were 12 layers with 72 atoms in each one. Periodic boundary conditions were used in two dimensions. At first all atoms were in normal lattice positions. The relaxation of Si surface, which corresponds to (001) plane was investigated. MD method was applied in its standard form i.e. the equations of motion were solved by using of the central difference scheme. The time-step was 10-14s. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1245 https://doi.org/10.31812/0564/1245 |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра інформатики та прикладної математики |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Kiv_Maximova_Soloviev.pdf | Abstract | 8.32 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.