Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1242| Назва: | Microscopic Mechanisms of Nucleatlon and Diffusion in Quenched Al-Si Alloys |
| Автори: | Ків, Арнольд Юхимович Maximova, T. I. Соловйов, Володимир Миколайович |
| Ключові слова: | nucleation diffusion computer simulation vacancy defects |
| Дата публікації: | сер-2002 |
| Бібліографічний опис: | Kiv A. E. Microscopic Mechanisms of Nucleatlon and Diffusion in Quenched Al-Si Alloys / Dr. A E. Kiv, Dr. T. I. Maximova, Dr. V. N. Soloviev // RQ11 - Rapidly Quenched & Metastable Materials. - Oxford University, U.K., 25-30th August 2002. |
| Короткий огляд (реферат): | Si precipitates formation in Al-Si alloys is a subject of many investigations. Al alloys are widely used as structural materials in nuclear reactors and have many other important applications. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1242 https://doi.org/10.31812/0564/1242 |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра інформатики та прикладної математики |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Kiv_Maximova_Soloviev.pdf | Abstract | 8.05 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.