Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1141| Назва: | Effect of Al atom forcing out by Si in Al-Si solid solutions |
| Автори: | Ків, Арнольд Юхимович Соловйов, Володимир Миколайович Maximova, T. I. |
| Ключові слова: | computer simulation Si clusters Al atom forcing molecular dynamics |
| Дата публікації: | 2000 |
| Бібліографічний опис: | Kiv A. E. Effect of Al atom forcing out by Si in Al-Si solid solutions / A. E. Kiv, V. N. Soloviev, T. I. Maximova // Computer Modeling & New Technologies. – 2000. –V. 4. – N 2. – P. 44-46. |
| Короткий огляд (реферат): | It is shown by computer simulation of the Al-Si solid solution that at the first stages of Si precipitates formation the small Si clusters arise in the tetrahedral configurations. This process is accompanied by the effect of Al atom forcing out from the lattice site by one of the Si atoms of nuclei. |
| Опис: | [1] Farrell K., Stiegler J.O., Gehlbash R.E. (1970) Transmutation-Produces Silicon Precipitates in Irradiated Aluminum. Metallography 3, 275-384 [2] Ozawa E., Kimura H. (1970) Excess vacancies and the Nucleation of precipitates in Aluminum-Silicon Alloys. Acta Metallurgica 18, 995-1004 [3] Kiv A. E., Soloviev V. N., Maximova T. I. (2000) Microstructure of the Relaxed (001) Si structure. Semicond. Phys. & Optoelectonics 3, 157-161 [4] Abell G. C. (1985) Empirical chemical pseudopotential theory of molecular and metallic bonding. Phys. Rev. B31, 6184-6196 [5]. Iskanderova Z. A., Kiv A. E., Soloviev V. N. (1977) About the Mechanism of E-centre formation in Si. Phys. and Techniques of Semicond. 11, 199-201 [6] Britavskaya E. P., Kiv A. E., Kovalchuk V. V., Urum G.D. (1995) Surface Disordered Phase in Semiconductors. Ukr. Phys. Journ. 7, 698-701. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1141 https://doi.org/10.31812/0564/1141 |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра інформатики та прикладної математики |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| EFFECT_OF_Al_ATOM_FORCING_OUT_BY_Si_IN_Al-Si_SOLID.pdf | Article | 81.23 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.