Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1019| Назва: | Метастабильные дефекты и процессы деградации полупроводниковых приборов |
| Автори: | Боско, Д. В. Никонова, Елена Петровна Соловйов, Володимир Миколайович Дончев, И. И. |
| Ключові слова: | теория флуктуонов аморфный кремний метастабильные дефекты флуктуоны фотоструктурные процессы эффект Стеблера-Вронского метастабильные состояния |
| Дата публікації: | 9-чер-1998 |
| Видавництво: | Астропринт |
| Бібліографічний опис: | Боско Д. В. Метастабильные дефекты и процессы деградации полупроводниковых приборов / Д. В. Боско, Е. П. Никонова, В. Н. Соловьев, И. И. Дончев // Фотоэлектроника : межведомственный научный сборник. – Одесса, 1998. – Выпуск 7. – С. 4-9. |
| Короткий огляд (реферат): | Теория флуктуонов Кривоглаза применена к описанию аморфного кремния (a-Si). Исследованы новые метастабильные дефекты в a-Si. Они возникают в результате взаимодействия атомов Н с флуктуонами. Предсказаны различные зависимости, характеризующие новые метастабильные дефекты. Например, можно отметить специфическую временную зависимость проводимости. Отмечается, что модель новых дефектов в a-Si объясняет фотоструктурные процессы и, в частности, эффект Стеблера-Вронского. Можно также объяснить другие метастабильные состояния в материалах и приборах на базе a-Si. |
| Опис: | 1. Phillips W. A. Two-level states in glasses // Rep. Prog. Phys. — 1987. — V. 50. — P. 1657— 1708 2. Stutzmann M., Jackson W. В., Tsai С. C. Light-indused metastable defects in hydrogenated amorphous silicon : a systematic study // Phys. Rev. B. — 1985. — V. 32. — № 1. — P. 23—47. 3. Powell M. J., Deane S. C., Milne W. I. Blasstress-indused creation and removal of danglingbond states in amorphous silicon thin-film transistors // appl. Phys. Lett. — 1992. — V. 60, № 2. — P. 207—209. 4. Rossi M. C, Brandt M. S., Stutzmann M. Accelerated stadility test for amorphous silicon cells // Appl. Phys. — Lett. — 1992. — V. 60, № 14. — P. 1709— 1711. 5. Zellama K. et. al. Systematic study of lightinduced effects in hydrogenated amorphous silicon // Phys. Rev.B. — 1992. — V. 45, № 23. — P. 13314— 13322. 6. Кривоглаз M. А. Флуктуонные состояния электронов // УФН. — 1973. — Т. 111, № 4. — С. 617—654. 7. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах // М.: Мир, 1982. — Т. 1, 2. — С. 664. 8. Соловьев В. Н., Хрисанов В. А. К теории диффузионных процессов в неупорядоченных конденсированных средах // ФТТ. — 1984. — Т. 58, № 2. — С. 252—256. 9. Карпов В. Г., Соловьев В. Н. Флуктуоны в аморфных веществах. Модель гидрогенизированного аморфного кремния // ФТТ. — 1989. — Т. 31, № 5. — С. 226—232. 10. Street R. A., Winer К. Defect equilibria in undoped a-Si:H // Phys. Rev. B. — 1989. — V. 40, № 9. — P. 6236—6249. 11. Алдабергенова С. Б., Карпов В. Г., Коугия К. В., Певцов А. Б., Соловьев В. Н., Феоктистов Н. А. Электронные состояния в аморфном полупроводнике с подвижными примесями. Термостимулированные процессы в a-Si:H // ФТТ. — 1990. — Т. 32, № 12. — С. 3599 — 3612. 12. Синкевич В. Ф., Соловьев В. Н. Физические механизмы деградации полупроводниковых приборов // Зарубежная электронная техника. — 1984, В 2 (273). — С. 3—46. 13. Зи С. Физика полупроводниковых приборов // М.: Мир І984. — Т. 1, 2.— С. 910. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1019 https://doi.org/10.31812/0564/1019 |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра інформатики та прикладної математики |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Боско_Никонова_Соловьев_Дончев.pdf | Статья | 31.94 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.