Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/2554
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorНауменко, Марина Валеріївна-
dc.date.accessioned2018-11-15T13:40:19Z-
dc.date.available2018-11-15T13:40:19Z-
dc.date.issued2018-11-14-
dc.identifier.citationНауменко М. В. Бар’єри та перенос носіїв у діодних структурах : магістерська робота студентки фізико-математичного факультету групи ФІ-м-13 / М. В. Науменко ; наук. керівник Р. М. Балабай. - Кривий Ріг, 2018. - 64 с.uk
dc.identifier.urihttp://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/2554-
dc.description.abstractОбговорена стратегія створення вбудованого латерального p-n – переходу у чорному фосфорені, використовуючи молекули бензил-віологена, як легуючу домішку частини поверхні чорного фосфорену. Досліджена стратегія створення на площині графену шляхом певних технологічних прийомів окремих ділянок локальної адсорбції різних хімічних елементів, що призводить до організації вбудованих латеральних p-n – переходів. Методами функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів на авторському програмному коді кафедри фізики та методики її навчання отримані просторові розподіли густини валентних електронів, густини електронних станів, ширини забороненої зони, кулонівські потенціали вздовж обраних напрямків досліджуваних структур, заряди на атомних остовах, побудовані енергетичні зонні діаграми бічних латеральних переходів на основі графена з різними областями хімічної функціоналізації. Встановлено, що латеральна конфігурація з’єднання складових бічних латеральних переходів графен/графан (C/CH), графен/флюрографен (C/CF), графен/хлорографен (C/CCl) характеризуються перерозподіленими областями заряду різного знаку, які аналогічні областям виснаження домішок об'ємних p-n – переходів. Області з різними знаками створюють умови для появи скачків потенціалів, що є основною характеристикою p-n – переходу. Розроблено семінарське заняття на тему «Латеральні двовимірні структури з діодними властивостями».uk
dc.language.isoukuk
dc.subjectметоди функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципівuk
dc.subjectпотенціальний бар’єрuk
dc.subjectперерозподіл зарядуuk
dc.subjectлатеральні p-n – переходиuk
dc.subjectграфен з локальною хімічною функціоналізацієюuk
dc.titleБАР’ЄРИ ТА ПЕРЕНОС НОСІЇВ У ДІОДНИХ СТРУКТУРАХuk
dc.typeThesisuk
Розташовується у зібраннях:Кафедра фізики та методики її навчання (магістерські)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
ДИПЛОМ_НАУМЕНКО_2018.pdf2.21 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.