Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1038
Назва: Влияние режима формирования поверхности Si (001) на ее атомную реконструкцию
Автори: Кив, Арнольд Ефимович
Соловьев, Владимир Николаевич
Максимова, Татьяна Ивановна
Ключові слова: поверхность Si (001)
атомная реконструкция
метод молекулярной динамики
компьютерное моделирование
полуэмпирические потенциалы
потенциал Стиллинджера-Вебера
алгоритм Верле
степень симметрии
глубина перестройки
Дата публікації: 2003
Видавництво: Брама ІСУЕП
Бібліографічний опис: Кив А. Е. Влияние режима формирования поверхности Si (001) на ее атомную реконструкцию / А. Е. Кив, В. Н. Соловьев, Т. И. Максимова // Комп’ютерне моделювання та інформаційні технології в науці, економіці та освіті : збірник наукових праць. – Черкаси : Брама ІСУЕП, 2003. – С. 53-54.
Короткий огляд (реферат): В рамках данного исследования нас интересовала реконструкция поверхности Si (001) и приповерхностных слоев, на глубине порядка нескольких постоянных решетки кремния. Моделирование поверхности кремния проведено методом молекулярной динамики с использованием полуэмпирических потенциалов. В работе исследовано влияние температурных условий в диапазоне от 100 К до 1500 К на динамику реконструкции.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1038
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Кив_Соловьев_Максимова.pdfСтатья4,15 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.