Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1034
Назва: High-temperature configurations of dimers in Si (001) surface layers
Автори: Kiv, Arnold E.
Maksymova, Tatiana I.
Moiseenko, Natalie V.
Soloviev, Vladimir N.
Ключові слова: silicon surface
molecular dynamics simulation
quasi-disordered phase
Дата публікації: 2003
Бібліографічний опис: Kiv A. E. High-temperature configurations of dimers in Si (001) surface layers / A. E. Kiv, T. I. Maksymova, N. V. Moiseenko, V. N. Soloviev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2003. – V. 6. – N. 1. – P. 14-18.
Короткий огляд (реферат): Molecular Dynamics (MD) simulation of Si (001) surface layers was performed. In the modified algorithm of MD the potential is corrected on each step of calculation. The corrections account the re-hybridization of chemical bonds in relaxation processes. It was found that the high-temperature relaxation of Si surface layers leads to formation of Quasi- Disordered Phase (QDP). QDP is spread from the first layer up to the forth-fifth layer. In all these layers dimers are formed. Their characteristics (length distribution and space orientation) change from layer to layer. They differ significantly from dimers formed at lower temperatures.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1034
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Kiv_Maksymova_Moiseenko_Soloviev.pdfArticle1,11 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.