Abstract:
Установлено, что в некристаллических полупроводниках существуют высокоэнергетические локальные колебания (ВЛК). Они реализуются при флуктуациях параметров структуры, приводящих к ужесточению атомных потенциалов. Изучена их природа и статистика в аморфном кремнии. Показано, что, несмотря на малую относительную концентрацию, ВЛК могут конкурировать с процессами многофононного захвата при безызлучательной рекомбинации носителей.
Description:
1. Мотт И., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. — М.: Мир, 1982. 2. Милис А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. — М.: Мир, 1978. 3. Шкловский Б. И. // Письма в ЖЭТФ. — 1986. — 44, вып. 2. — С. 95 — 98. 4. Барановский С.Д., Карпов В.Г., Шкловский Б.И. // ЖЭТФ. — 1988. — 94. вып. 3. — С. 278 — 288. 5. Гальперин Ю.М., Карпов В.Г., Соловьев В.Н. // Там же. — С. 373 — 384. 6. Tomаssini N., Conti A., Fasto J. et al. // J. Non-Cryst. Solids. — 1987. — 93, № 1. — P. 241 — 256. 7. Дядына Г.А., Карпов В.Г., Соловьев В.П., Хрисанов В.А. // ФТТ. — 1989 — 31. вып. 4. — С. 148 — 155. 8. Физика гидрогенизированного аморфного кремния. / Под ред. Дж. Джоунопулоса, Дж. Люковски. — М.: Мир, 1988.
