DSpace Home
→
Електронні публікації
→
Фізико-математичний факультет
→
Кафедра інформатики та прикладної математики
→
View Item

dc.contributor.author	Піддубний, Б. А.
dc.contributor.author	Соловйов, Володимир Миколайович
dc.date.accessioned	2017-07-08T19:40:41Z
dc.date.available	2017-07-08T19:40:41Z
dc.date.issued	1999
dc.identifier.citation	Піддубний Б. А. Комп’ютерне моделювання радіаційно-стимульованої стабілізації (001) Si поверхні / Б. А. Піддубний, В. М. Соловйов // Фізика. Математика. Нові технології навчання : збірник матеріалів Всеукраїнської студентської науково-практичної конференції, присвяченої 70-річчю фізико-математичного факультету КДПУ ім. В. Винниченка (м. Кіровоград, 2–3 квітня 1999 року) / упорядники : С. П. Величко, А. М. Плічко, О. М. Царенко. – Кіровоград, 1999. – С. 13-14.	uk
dc.identifier.uri	http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1025
dc.identifier.uri	https://doi.org/10.31812/0564/1025
dc.description	1. Зі С. Фізика напівпровідникових приладів: Пер. з англ. / Під ред. Д.А.Суриса. М.: Мир, 1984, Т. 1-2. 2. Srivastova G.P. Theory o f semiconductor surface reconstruction //Rep.Prog.Phys - 1997. - V. 60, № 5. - P. 561-613. 3. Bazant M.Z., Kaxiras E. Environment-dependent interatomic potential for bulk silicon.// Phys.Rev. - 1997. - V.B56, № 14. - P .8542-8552. 4. Neddermeyer H. Scanning tunnelling m microscopy of semiconductor surfaces.// Rep.Prog.Phys. - 1996. - V.59, № 6. - P.701-769 5. Abraham F.F., Batra I.P. A model potential study of the Si (001) 2x1 surfase. Surface Science. - 1985. - № 163. – P. L752-L758 6. Ishimaru M., Munetoh S. Generation of amorphous silicon structure by rapid quenching: A molecular-dynamics study // Phys.Rev. - 1997. - V.B56, № 23. – P.15133-15138. 7. Вавілов В. С., Ків А. Є., Ніязова О. Р. Механізми утворення і міграції дефектів в напівпровідниках. – М.: Наука, Головна редакція фіз.-мат. літератури, 1981. - 368 с. 8. Фізика гідрогенізованого аморфного кремнію. Вип. ІІ. Електроні і коливальні властивості / під ред. Дж. Джоунопулоса, Дж. Люковски. – М. : Мир, 1988. - 448 с.
dc.description.abstract	Поверхні, границі розподілу напівпровідників відіграють суттєву роль в процесі формування й функціонування значної кількості приладів та структур сучасної мікроелектроники. Ідеальна поверхня є неврівноваженою структурою, і в залежності від умов її одержання, відпалу, пасівації може трансформуватись в один з більш ніж 300 відомих станів. В сучасних теоретичних дослідженнях важливу роль відіграє комп’ютерне моделювання. Воно дозволяє дослідити атомну структуру, електронні, коливальні й оптичні властивості поверхні. В даній роботі методом молекулярної дннамики з потенціалом Стілінджера-Вебера досліджено особливості релаксації (001) поверхні кремнія при кімнатній температурі за нормальних умов, а також при її опроміненні низькоенергетичними іонами. Поверхня (001) Si була обрана зогляду на те, що вона є найбільш якісною при одержанні її методом молекулярно-променевої епітаксії і для неї ще не одержано в повній мірі переконливих експериментальних і теоретичних даних.	uk
dc.language.iso	uk	uk
dc.publisher	РВГІЦ КДПУ ім. В. Винниченка	uk
dc.subject	комп’ютерне моделювання	uk
dc.subject	границі розподілу напівпровідників	uk
dc.subject	мікроелектроника	uk
dc.subject	потенціал Стілінджера-Вебера	uk
dc.subject	релаксація (001) поверхні кремнія	uk
dc.subject	низькоенергетичні іони	uk
dc.subject	метод молекулярно-променевої епітаксії	uk
dc.title	Комп’ютерне моделювання радіаційно-стимульованої стабілізації (001) Si поверхні	uk
dc.type	Article	uk