JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
| dc.contributor.author | Боско, Д. В. | |
| dc.contributor.author | Никонова, Елена Петровна | |
| dc.contributor.author | Соловйов, Володимир Миколайович | |
| dc.contributor.author | Дончев, И. И. | |
| dc.date.accessioned | 2017-07-08T15:42:47Z | |
| dc.date.available | 2017-07-08T15:42:47Z | |
| dc.date.issued | 1998-06-09 | |
| dc.identifier.citation | Боско Д. В. Метастабильные дефекты и процессы деградации полупроводниковых приборов / Д. В. Боско, Е. П. Никонова, В. Н. Соловьев, И. И. Дончев // Фотоэлектроника : межведомственный научный сборник. – Одесса, 1998. – Выпуск 7. – С. 4-9. | uk |
| dc.identifier.uri | http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1019 | |
| dc.identifier.uri | https://doi.org/10.31812/0564/1019 | |
| dc.description | 1. Phillips W. A. Two-level states in glasses // Rep. Prog. Phys. — 1987. — V. 50. — P. 1657— 1708 2. Stutzmann M., Jackson W. В., Tsai С. C. Light-indused metastable defects in hydrogenated amorphous silicon : a systematic study // Phys. Rev. B. — 1985. — V. 32. — № 1. — P. 23—47. 3. Powell M. J., Deane S. C., Milne W. I. Blasstress-indused creation and removal of danglingbond states in amorphous silicon thin-film transistors // appl. Phys. Lett. — 1992. — V. 60, № 2. — P. 207—209. 4. Rossi M. C, Brandt M. S., Stutzmann M. Accelerated stadility test for amorphous silicon cells // Appl. Phys. — Lett. — 1992. — V. 60, № 14. — P. 1709— 1711. 5. Zellama K. et. al. Systematic study of lightinduced effects in hydrogenated amorphous silicon // Phys. Rev.B. — 1992. — V. 45, № 23. — P. 13314— 13322. 6. Кривоглаз M. А. Флуктуонные состояния электронов // УФН. — 1973. — Т. 111, № 4. — С. 617—654. 7. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах // М.: Мир, 1982. — Т. 1, 2. — С. 664. 8. Соловьев В. Н., Хрисанов В. А. К теории диффузионных процессов в неупорядоченных конденсированных средах // ФТТ. — 1984. — Т. 58, № 2. — С. 252—256. 9. Карпов В. Г., Соловьев В. Н. Флуктуоны в аморфных веществах. Модель гидрогенизированного аморфного кремния // ФТТ. — 1989. — Т. 31, № 5. — С. 226—232. 10. Street R. A., Winer К. Defect equilibria in undoped a-Si:H // Phys. Rev. B. — 1989. — V. 40, № 9. — P. 6236—6249. 11. Алдабергенова С. Б., Карпов В. Г., Коугия К. В., Певцов А. Б., Соловьев В. Н., Феоктистов Н. А. Электронные состояния в аморфном полупроводнике с подвижными примесями. Термостимулированные процессы в a-Si:H // ФТТ. — 1990. — Т. 32, № 12. — С. 3599 — 3612. 12. Синкевич В. Ф., Соловьев В. Н. Физические механизмы деградации полупроводниковых приборов // Зарубежная электронная техника. — 1984, В 2 (273). — С. 3—46. 13. Зи С. Физика полупроводниковых приборов // М.: Мир І984. — Т. 1, 2.— С. 910. | |
| dc.description.abstract | Теория флуктуонов Кривоглаза применена к описанию аморфного кремния (a-Si). Исследованы новые метастабильные дефекты в a-Si. Они возникают в результате взаимодействия атомов Н с флуктуонами. Предсказаны различные зависимости, характеризующие новые метастабильные дефекты. Например, можно отметить специфическую временную зависимость проводимости. Отмечается, что модель новых дефектов в a-Si объясняет фотоструктурные процессы и, в частности, эффект Стеблера-Вронского. Можно также объяснить другие метастабильные состояния в материалах и приборах на базе a-Si. | uk |
| dc.language.iso | ru | uk |
| dc.publisher | Астропринт | uk |
| dc.subject | теория флуктуонов | uk |
| dc.subject | аморфный кремний | uk |
| dc.subject | метастабильные дефекты | uk |
| dc.subject | флуктуоны | uk |
| dc.subject | фотоструктурные процессы | uk |
| dc.subject | эффект Стеблера-Вронского | uk |
| dc.subject | метастабильные состояния | uk |
| dc.title | Метастабильные дефекты и процессы деградации полупроводниковых приборов | uk |
| dc.type | Article | uk |
