DSpace Repository
Электронные состояния в аморфном полупроводнике с подвижными примесями. Термостимулированные процессы в α-Si:H
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
| dc.contributor.author | Алдабергенова, С. Б. | |
| dc.contributor.author | Карпов, В. Г. | |
| dc.contributor.author | Коугия, К. В. | |
| dc.contributor.author | Певцов, А. Б. | |
| dc.contributor.author | Соловйов, Володимир Миколайович | |
| dc.contributor.author | Феоктистов, Н. А. | |
| dc.date.accessioned | 2017-07-08T14:59:19Z | |
| dc.date.available | 2017-07-08T14:59:19Z | |
| dc.date.issued | 1990 | |
| dc.identifier.citation | Алдабергенова С. Б. Электронные состояния в аморфном полупроводнике с подвижными примесями. Термостимулированные процессы в α-Si:H / С. Б. Алдабергенова, В. Г. Карпов, К. В. Коугия, А. Б. Певцов, В. Н. Соловьев, Н. А. Феоктистов // Физика твердого тела. – 1990. – Т. 32, № 12. – С. 3599-3612. | uk |
| dc.identifier.issn | 0367-3294 | |
| dc.identifier.uri | http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1014 | |
| dc.identifier.uri | https://doi.org/10.31812/0564/1014 | |
| dc.description | [1 ] Street R. A., Kakalios J., Tsai Т. Т., Hayes Т. М. // Phys. Rev. В. 1987. V. 35. N 3. P. 1316-1333. [2] Kakalios J., Street R. A., Jackson W. В. // Phys. Rev. Lett. 1987. V. 59. N 9. P. 1037—1040. [3] Jackson W. B., Kakalios J. //P h y s. Rev. B. 1988. V. 37. N 2. P. 1020—1023. [4] Street R. A., Hack M., Jackson W. B. // Phys. Rev. B. 1988. V. 37. № 8. P. 4209 - 4223. [5] Андреев А. А., Сидорова T. А., Казакова E. А ., Аблова M..C., Виноградов А. Я. // ФТП. 1986. T. 20. № 8. С. 1469—1475. [6] Андреев А. А., Аблова М. С., Сидорова Т. А., Казакова Е. А., Пилатов А. Г., Тургунов Т. Т. // Изв. АН СССР, неорг. матер. 1989. Т. 25. № 6. С. 900—904. [7] Smith Z. Е., Vagner S. // Phys. Rev. Lett. 1987. V. 59. N 6. P. 688-691. [8] Shepard К ., Smith Z. E., Aljishi S., Wagner S. // Appi. Phys. Lett. 1988. V. 53. N 17. P. 1644—1646. [9] McMahon T. J., Tsu К. T. / / Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. N 6. P. 412—414. [10] Meaudre R., Meaudre M., Jensen R., Guiraud G. // Phil. Mag. Lett. 1988. V. 57. N 6. P. 315—320. [11] Solov’ev V. N. // Phys. St. Sol. (a). 1984. V. 83. N 2. P. 533-536. [12] Кривоглаз M. A. / / УФН. 1973. T. 111. № 2. C. 617-663. [13] Tauc J., Grigorovichi R., Vancu A. // Phys. St. Sol. 1966. V. 15. № 3. P. 627—637. [14] Vanecec M., Kocka J., Stuchlik J., Kozisek Z., Stika O., Triska A. // Sol. Energy Mater. 1983. V. 8. N 6. P. 411—423. [15] Гордеев С. H., Зарифьянц IO. А., Казанский А. Г. // ФТП. 1982. T. 16. № 6. C. 182, 184. [16] Anderson P. W., Halperin В. I., Varma С. M. / / Phil. Mag. 1971. V. 25. № 1. P. 1— 9. [17] Amorphous Solids. Low Temperature Properties / Ed. W. A. Phillips. Berlin—Reidelberg—New York: Springer Verlag, 1981. P. 287. [18] Street R. A.. Tsai С. C., Kakelios J., Jackson W. B. // Phil. Mag. B. 1987. V. 56. N 4. P. 305—322. [19] Stabler D. L., Wronsky C. R. // J. Appl. Phys. 1980. V. 51. N 6. P. 3262—3268. [20] Dersch H., Stuke J., Beichler J. // Appl. Phys. Lett. 1981. V. 38. N 6. P. 456—458. [21] Карпов В. Г., Соловьев В. Н. // ФТТ. 1989. Т. 31. № 5. С. 226—232. [22] Street R. А. // Adv. Phy. 1981. V. 30. Р. 593—710. [23] Biegelsen D. К ., Street R. A., Tsai С. С., Knights J. С. // J. Non-Cryst. Sol. 1980. V. 35/36. Р. 285-290. | |
| dc.description.abstract | Экспериментально исследованы электрические и оптические свойства гидрогенизированного аморфного кремния в условиях высокой подвижности атомов водорода (при температурах порядка и выше комнатной). Измеренные величины обнаруживают нетривиальные температурные зависимости, обусловленные изменениями структуры при термостимулированной диффузии водорода. Развита феноменологическая модель изменения электронных свойств аморфного полупроводника при структурных перестройках. Она основана на рассмотрении ансамбля случайных двухъямных потенциалов, переходы в которых меняют электронные состояния. Предложена микроскопическая интерпретация, основанная на учете прямого взаимодействия подвижных атомов примеси с локализованными электронами. Это взаимодействие ответственно за образование флуктуонных состояний, структура и свойства которых определяются случайным характером потенциального рельефа примесных атомов в аморфном веществе. Изменения электронных и оптических свойств аморфного полупроводника связаны с диффузионными процессами образования и распада флуктуонных состояний. | uk |
| dc.language.iso | ru | uk |
| dc.publisher | Издательство «Наука» | uk |
| dc.subject | гидрогенизированный аморфный кремний | uk |
| dc.subject | термостимулированная диффузия водорода | uk |
| dc.subject | феноменологическая модель изменения электронных свойств аморфного полупроводника при структурных перестройках | uk |
| dc.subject | ансамбль случайных двухъямных потенциалов | uk |
| dc.subject | флуктуонные состояния | uk |
| dc.subject | диффузионные процессы | uk |
| dc.title | Электронные состояния в аморфном полупроводнике с подвижными примесями. Термостимулированные процессы в α-Si:H | uk |
| dc.type | Article | uk |
