Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/758
Назва: Компьютерное моделирование фулереноподобных структур на поверхности (001) кремния
Автори: Соловйов, Володимир Миколайович
Максимова, Татьяна Ивановна
Семеріков, Сергій Олексійович
Ключові слова: кремний
фулерены
фулереноподобные структуры
компьютерное моделирование
кремній
фулерени
фулереноподібні структури
комп'ютерне моделювання
Дата публікації: 1999
Видавництво: Видавничий відділ КДПУ
Бібліографічний опис: Соловьев В. Н. Компьютерное моделирование фулереноподобных структур на поверхности (001) кремния / В. Н. Соловьев, Т. И. Максимова, С. А. Семериков // Комп’ютерне моделювання та інформаційні технології в освітній діяльності. – Кривий Ріг, 1999. – С. 16–20.
Короткий огляд (реферат): В последние годы уделяется большое внимание поиску новых материалов с уникальными физическими свойствами. Примером таких структур являются малые кластеры Si расширенного объема, а так же кремниевые структуры, близкие по физическому смыслу к фулереноподобным. Целью данной работы было исследования стабильности указанных структур на поверхности кристаллического кремния.
Опис: 1. Хеерман Д.В. Методы компьютерного эксперимента в теоретической физике: Пер. с англ. / Под. ред. С.А. Ахманова. – М.: Наука. Гл. ред. физ.- мат. лит., 1990. – 176 с. 2. M.Z. Bazant, E. Kaxiras, Environment-dependent interatomic potential for bulk silicon, Phys.Rev, B 56(14), 8542-8552 (1997). 3. A. Demkov, O. Sankey, K. Schmidt, Theoretical investigation of alkali-metal doping in Si clathrates, Phys.Rev., B 50(23), 17001- 17008 (1994). 4. Максимова Т.И. Компьютерное моделирование радиационно-стимулированной стабилизации (001) Si поверхности.// Фотоэлектроника, № 8, 1998. 5. H.Neddermeyer Scanning tunnelling microscopy of semiconductor surfaces, Rep.Prog.Phys 59(6), 701-769 (1996). 6. Бехштедт Ф., Эндерлайн Р.Поверхности и границы раздела полупроводников: Пер. с англ. – М.: Мир, 1990. – 488с. 7. J. Song, S. Illoa, D. Drabold, Exciton-induced lattice relaxation and the electronic and vibrational spectra of silicon clusters, Phys.Rev., B 53(12), 8042-8051 (1996). 8. K.Inoue, Y. Moricawa, Order-disorder phase transition on the Si (001) surface: Critical role of dimer defects, Phys.Rev., B 49(20), 14774-14777 (1994).
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/758
https://doi.org/10.31812/0564/758
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
ZBIR99A5.pdfСтатья229.12 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.