1. DSpace at KDPU
  2. Електронні публікації
  3. Фізико-математичний факультет
  4. Кафедра інформатики та прикладної математики
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1278
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorКів, Арнольд Юхимович-
dc.contributor.authorMaximova, T. I.-
dc.contributor.authorСоловйов, Володимир Миколайович-
dc.date.accessioned2017-08-26T12:09:22Z-
dc.date.available2017-08-26T12:09:22Z-
dc.date.issued2000-06-
dc.identifier.citationSoloviov V. N. MD Simulation of the Ion-Stimulated Relaxation in Silicon Surface Layers / A. E. Kiv, T. I. Maximova, V. N. Soloviov // NATO Advanced Study Institute “Functional Gradient Materials And Surface Layers, Prepared by Fine Particles Technology” : Program. Abstracts. Participants. – June 18-28, Kiev, Ukraine. – L16. – Kiev, 2000. – P. 23.uk
dc.identifier.urihttp://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1278-
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.31812/0564/1278-
dc.description1. P.W. Jacobs, A.E. Kiv, R.M. Balabay et al. Computer Modeling & New Technologies (1998) Volume 2, pp.15-20.-
dc.description.abstractThus it was established that ion bombardment of silicon surface in the energy region of the threshold of elastic displacement of atoms might allow to improve structural characteristics of surface lavers and to decrease the relaxation time. Energy dependencies of radiation induced processes show a possibility to improve the real staicture of Silicon surface and to accelerate the long-term surface relaxation in microelectronic technology.uk
dc.language.isoenuk
dc.subjectmolecular dynamicsuk
dc.subjectmicroelectronicsuk
dc.subjectradiation treatmentuk
dc.subjectsilicon surfaceuk
dc.titleMD Simulation of the Ion-Stimulated Relaxation in Silicon Surface Layersuk
dc.typeArticleuk
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Kiv_Maximova_Soloviev.pdfAbstract2.39 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.