Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1057Повний запис метаданих
| Поле DC | Значення | Мова |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Ків, Арнольд Юхимович | - |
| dc.contributor.author | Соловйов, Володимир Миколайович | - |
| dc.contributor.author | Максимова, Татьяна Ивановна | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-19T19:39:54Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-19T19:39:54Z | - |
| dc.date.issued | 2000 | - |
| dc.identifier.citation | Кив А. Е. Влияние излучений подпороговых энергий на реконструкцию поверхности Si (001) / А. Е. Кив, В. Н. Соловьев, Т. И. Максимова // Комп’ютерне моделювання та інформаційні технології в природничих науках : збірник наукових праць. – Кривий Ріг, 2000. – С. 16-23. | uk |
| dc.identifier.uri | http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1057 | - |
| dc.identifier.uri | https://doi.org/10.31812/0564/1057 | - |
| dc.description | 1. Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников: Пер. с англ. – М.: Мир, 1990. – 488 с. 2. Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. – М.: Наука., Главная редакция физ.-мат. литературы, 1981. – 368 с. 3. Вавилов В.С., Ухин Н.А. Радиационные дефекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. – М.: Атомиздат, 1969. – 312 с. 4. Хеерман Д.В. Методы компьютерного эксперимента в теоретической физике: Пер. с англ. / Под. ред. С.А.Ахманова. – М: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1990. – 176 с. 5. F. Stillinger, T. Weber, New interatomic potential for Si, Phys. Rev. B 31, 5262 (1985). 6. I. Ohdomari, H. Akatsu, The structural models of the Si/Si02 interface, Non-Cryst. Sol. 89 239-248 (1987). 7. M.Z. Bazant, E. Kaxiras, Environment-dependent interatomic potential for bulk silicon, Phys.Rev, B 56(14), 8542-8552 (1997). 8. V.V. Kovalchuk, V.V. Chislov, V.A. Yanchuk, Cluster model of the real silicon surface, Phys. Stat. Sol. (b) 187, K47 (1995). | - |
| dc.description.abstract | Возможность управления свойствами полупроводников путем ионной бомбардировки, в частности, применение этого метода для очистки поверхности представляет значительный практический интерес. Основной задачей нашего исследования являлось выявление с помощью методов компьютерного моделирования наиболее благоприятных условий применения радиационной обработки поверхности с целью ее стабилизации. | uk |
| dc.language.iso | ru | uk |
| dc.publisher | Видавничий відділ КДПУ | uk |
| dc.subject | Si (001) | uk |
| dc.subject | реконструкция поверхности | uk |
| dc.subject | подпороговые энергии | uk |
| dc.subject | компьютерное моделирование | uk |
| dc.subject | радиационные дефекты | uk |
| dc.subject | потенциал Стиллинджера-Вебера | uk |
| dc.subject | потенциал Китинга | uk |
| dc.subject | низкоэнергетическая бомбардировка | uk |
| dc.title | Влияние излучений подпороговых энергий на реконструкцию поверхности Si (001) | uk |
| dc.type | Article | uk |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра інформатики та прикладної математики | |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| КивСоловьевМаксимова.PDF | Статья | 462.13 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.