Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1038
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorКів, Арнольд Юхимович-
dc.contributor.authorСоловйов, Володимир Миколайович-
dc.contributor.authorМаксимова, Татьяна Ивановна-
dc.date.accessioned2017-07-11T06:15:06Z-
dc.date.available2017-07-11T06:15:06Z-
dc.date.issued2003-
dc.identifier.citationКив А. Е. Влияние режима формирования поверхности Si (001) на ее атомную реконструкцию / А. Е. Кив, В. Н. Соловьев, Т. И. Максимова // Комп’ютерне моделювання та інформаційні технології в науці, економіці та освіті : збірник наукових праць. – Черкаси, 2003. – С. 53-54.uk
dc.identifier.urihttp://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1038-
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.31812/0564/1038-
dc.description.abstractВ рамках данного исследования нас интересовала реконструкция поверхности Si (001) и приповерхностных слоев, на глубине порядка нескольких постоянных решетки кремния. Моделирование поверхности кремния проведено методом молекулярной динамики с использованием полуэмпирических потенциалов. В работе исследовано влияние температурных условий в диапазоне от 100 К до 1500 К на динамику реконструкции.uk
dc.language.isoruuk
dc.publisherБрама ІСУЕПuk
dc.subjectповерхность Si (001)uk
dc.subjectатомная реконструкцияuk
dc.subjectметод молекулярной динамикиuk
dc.subjectкомпьютерное моделированиеuk
dc.subjectполуэмпирические потенциалыuk
dc.subjectпотенциал Стиллинджера-Вебераuk
dc.subjectалгоритм Верлеuk
dc.subjectстепень симметрииuk
dc.subjectглубина перестройкиuk
dc.titleВлияние режима формирования поверхности Si (001) на ее атомную реконструкциюuk
dc.typeArticleuk
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Кив_Соловьев_Максимова.pdfСтатья4.15 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.