Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1034| Назва: | High-temperature configurations of dimers in Si (001) surface layers |
| Автори: | Ків, Арнольд Юхимович Maksymova, Tatiana I. Моісеєнко, Наталя Володимирівна Соловйов, Володимир Миколайович |
| Ключові слова: | silicon surface molecular dynamics simulation quasi-disordered phase |
| Дата публікації: | 2003 |
| Бібліографічний опис: | Kiv A. E. High-temperature configurations of dimers in Si (001) surface layers / A. E. Kiv, T. I. Maksymova, N. V. Moiseenko, V. N. Soloviev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2003. – V. 6, N. 1. – Pp. 14-18. |
| Короткий огляд (реферат): | Molecular Dynamics (MD) simulation of Si (001) surface layers was performed. In the modified algorithm of MD the potential is corrected on each step of calculation. The corrections account the re-hybridization of chemical bonds in relaxation processes. It was found that the high-temperature relaxation of Si surface layers leads to formation of Quasi- Disordered Phase (QDP). QDP is spread from the first layer up to the forth-fifth layer. In all these layers dimers are formed. Their characteristics (length distribution and space orientation) change from layer to layer. They differ significantly from dimers formed at lower temperatures. |
| Опис: | 1. Hamers R.J., Tromp R. M., and Demuth J.E. Phys. Rev. B34, 5343 (1986). 2. Tabeta T., Aruga T. and M urata U. Surf. Sci. 179, L63 (1987). 3. Dabrowski J. and Scheffler M. Appl. Surf. Sci. 15, p. 58-56 (1992). 4. Gruko J. and Allen R. E. Uliramicroscopy 793, p. 42-44 (1992). 5. Abraham F.F. and Batra I.P. Surf. Sci., 163, L752 (1985). 6. Kiv A.E., Maximova T.I. and Soloviev V.N. MD simulation of the ion-stimulated processes in Si surface layers, in M.-I. Baraton and I.V. Uvarova (eds), Functional Gradient Materials and Surface Layers Preparated by Fine Particles (2001). 7. Kiv A.E., Soloviev V.N., Maximova T.I. Microstructure of the Relaxed (001) Si surface, Semiconductor Physics, Quantum electronics&Optoelectronics 3, 195-200 (2000). 8. Jacobs P.W., Kiv A.E., Balabay R.M., Grischenko N.V. Atomic configurations in a-Si obtained by ion implantation, CM&NT 2, p. 15-20 (1998). 9. Eguchi H., Tsumuraya K., Nagano T., Kihara S. Materials Transitions, JIM, 40, 1198 (1999). 10. Pearson C., Borovsky B., Krueger M., Curtis R. and Ganz E. Phys. Rev. Lett. 74, 2710 (1995). 11. Borovsky B. Krueger M., Ganz E. Phys. Rev. Lett 22, 4229 (1997). 12. Frenkel Daan and Smit Berend Understanding Molecular Simulation, Academic Press, New-York (1966). 13. Borovsky B., Krueger M., Ganz E. Phys. Rev. B59, 1598 (1999). |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1034 https://doi.org/10.15407/spqeo6.01.014 |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра інформатики та прикладної математики |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Kiv_Maksymova_Moiseenko_Soloviev.pdf | Article | 1.11 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.