1. DSpace at KDPU
  2. Електронні публікації
  3. Фізико-математичний факультет
  4. Кафедра інформатики та прикладної математики
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/693
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorМаксимова, Татьяна Ивановна-
dc.contributor.authorСемеріков, Сергій Олексійович-
dc.contributor.authorСоловйов, Володимир Миколайович-
dc.date.accessioned2017-06-04T17:04:22Z-
dc.date.available2017-06-04T17:04:22Z-
dc.date.issued1998-
dc.identifier.citationМаксимова Т. И. О физической природе метастабильных свойств аморфных полупроводников / Т. И. Максимова, С. А. Семериков, В. Н. Соловьёв // Збірник наукових праць Східноукраїнського державного університету. Серія «Машинобудування». – Луганськ, 1998. – С. 104–110.uk
dc.identifier.urihttp://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/693-
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.31812/0564/693-
dc.description1. Phillips W.A. //Rep. Prog. Phys. 1987. V. 50. P. 1657. 2. Staebler D.L., Wronski C.R. //Appl. Phys. Lett. 1977. V. 31. P. 292. 3. Kiv A.E., Solovijev V.N. //Phys. Status Solidi. 1979. V. 94. P. 91. 4. Car R., Parrinello M. //Phys. Rev. Lett. 1985. V. 55. P. 2471. 5. Van de Walle C.G. //Phys. Rev. B. 1994. V. 49. P. 4579; //Phys. Rev. B. 1995. V. 51. P. 10615. 6. Stutzmann M., Jackson W. B., Tsai C. C. //Phys. Rev. B. 1985. V. 32. P. 23. 7. Паршин Д.А. //ФТТ. 1994. Т. 36. С. 1809. 8. Anderson P.W. //Phys. Rev. Lett. 1975. V. 34. P. 953. 9. Dersch H., Stuke J., Beichler. //Appl. Phys. Lett. 1980. V. 38. P. 456. 10. Müller G. //Appl. Phys. A. 1988. V. 45. P. 41. 11. Crandall R.S. //Phys. Rev. B. 1987. V. 36. P. 2645. 12. Pantelides S.T. //Phys. Rev. Lett. 1987. V. 58. P. 1344. 13. Isoya J., Yamasaki S., Okushi H., Matsuda A., Tanaka K. //Phys. Rev. B. 1993. V. 47. P. 7013. 14. Stutzmann M. //Phys. Rev. B. 1986. V. 33. P. 7379.-
dc.description.abstractПроведены ab initio расчёты нового типа дефекта в материалах с ковалентными связями - ориентационного дефекта (ОД). ОД представляет собой типичное дефектное состояние в аморфном тетраэдрическом полупроводнике, в окрестности которого не происходит радикальной перестройки химических связей: последние испытывают лишь угловые и радиальные деформации. Существование ориентационных дефектов позволяет пересмотреть традиционные представления о метастабильных свойствах аморфных веществ и непротиворечиво интерпретировать широкий спектр особенностей их поведения как в условиях термодинамиче ского равновесия, так и в состоянии, далёком от равновесного (например, эффект Стеблера-Вронского). Кроме того, ОД можно рассматривать в качестве модели ангармонических межатомных потенциалов, обуславливающих низкотемпературные аномалии физических свойств неупорядоченных материалов. Некоторые из них впервые рассмотрены с новых позиций.uk
dc.language.isoruuk
dc.publisherВидавництво Східноукраїнського державного університетуuk
dc.subjectab initio расчетыuk
dc.subjectковалентные связиuk
dc.subjectориентационный дефектuk
dc.subjectполупроводникuk
dc.subjectхимические связиuk
dc.subjectрадиальные деформацииuk
dc.subjectметастабильные свойстваuk
dc.subjectаморфные веществаuk
dc.subjectab initio розрахунки-
dc.subjectковалентні зв'язки-
dc.subjectорієнтаційний дефект-
dc.subjectнапівпровідник-
dc.subjectхімічні зв'язки-
dc.subjectрадіальні деформації-
dc.subjectметастабільні властивості-
dc.subjectаморфні речовини-
dc.titleО физической природе метастабильных свойств аморфных полупроводниковuk
dc.typeArticleuk
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
METASTAB.pdfСтатья235.25 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.