БАР’ЄРИ ТА ПЕРЕНОС НОСІЇВ У ДІОДНИХ СТРУКТУРАХ

Abstract

Обговорена стратегія створення вбудованого латерального p-n – переходу у чорному фосфорені, використовуючи молекули бензил-віологена, як легуючу домішку частини поверхні чорного фосфорену. Досліджена стратегія створення на площині графену шляхом певних технологічних прийомів окремих ділянок локальної адсорбції різних хімічних елементів, що призводить до організації вбудованих латеральних p-n – переходів. Методами функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів на авторському програмному коді кафедри фізики та методики її навчання отримані просторові розподіли густини валентних електронів, густини електронних станів, ширини забороненої зони, кулонівські потенціали вздовж обраних напрямків досліджуваних структур, заряди на атомних остовах, побудовані енергетичні зонні діаграми бічних латеральних переходів на основі графена з різними областями хімічної функціоналізації. Встановлено, що латеральна конфігурація з’єднання складових бічних латеральних переходів графен/графан (C/CH), графен/флюрографен (C/CF), графен/хлорографен (C/CCl) характеризуються перерозподіленими областями заряду різного знаку, які аналогічні областям виснаження домішок об'ємних p-n – переходів. Області з різними знаками створюють умови для появи скачків потенціалів, що є основною характеристикою p-n – переходу. Розроблено семінарське заняття на тему «Латеральні двовимірні структури з діодними властивостями».