1. DSpace at KDPU
  2. Електронні публікації
  3. Фізико-математичний факультет
  4. Кафедра інформатики та прикладної математики
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1272
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorСоловйов, Володимир Миколайович-
dc.contributor.authorСинкевич, В. Ф.-
dc.contributor.authorДядына, Г. А.-
dc.date.accessioned2017-08-25T19:10:08Z-
dc.date.available2017-08-25T19:10:08Z-
dc.date.issued1985-
dc.identifier.citationСоловьев В. Н. О микромеханизмах электродиффузионных отказов тонкопленочной металлизации / В. Н. Соловьев, В. Ф. Синкевич, Г. А. Дядына // Журнал технической физики. – 1985. – Т. 55, в. 2. – С. 348-353.uk
dc.identifier.urihttp://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1272-
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.31812/0564/1272-
dc.description[1] Колешко В. М., Белицкий В. А . Массоперенос в тонких пленках. Минск: Наука и техника, 1980. 428 с. [2] Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции / Под ред. Поута Дж., Ту К., Мейера Дж. М.: Мир, 1982. 576 с. [3] Нечаев А. М., Рубаха Е. А., Синкевич В. Ф. Механизмы отказов и надежность мощных СВЧ транзисторов. — Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, 1978, в. 10 (577), с. 1— 80. [4] Бонч-Бруевич В. Л., Звягин И. П., Кайпер Р. и др. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. М.: Наука, 1981. 384 с. [5] Шкловский Б. И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979. 416 с. Р Л [6] Соловьев В. Н. Диффузия в аморфных металлических слоях. — ФММ, 1982, т. 54 № 5 с. 876—879. [7] Schreiber H.-U., Grabe В. Electromigration measuring techniques for grain boundary diffusion activation energy in aluminum. — Solid State Electron., 1981, v. 24, № 12, p. 1135-1146. [8] Pierce J. M., Thomas M. E. Electromigration in aluminum conductors which are chains of single crystals. — Appl. Phys. Lett., 1981, v. 39, № 2, p. 165— 169. [9] Christon A., Anderson W. T. Jr., Bark M. L. et al. Reliability of amorphous metallizations for GaAs FETS. — In: 20th Ann. Proced. Reliab. Phys., Calif., San-Diego, 1982, p. 188 — 193.-
dc.description.abstractТеория протекания привлечена для вычисления ионной проводимости поликристаллической пленки. Показано, что кинетику электродиффузионных отказов тонкопленочной ме­таллизации определяет зависящая от степени структурного совершенства пленки энергия активации миграции ионов. Получено выражение для предэкспоненциального множителя коэффициента диффузии. В субмикронных пленках обнаружено возрастание энергии активации за счет изменения топологии "путей протекания" ионов. Экспериментальные данные по времени наработки удовлетворительно согласуются с развитыми представлениями.uk
dc.language.isoruuk
dc.subjectтеория протеканияuk
dc.subjectперколяцияuk
dc.subjectионная проводимостьuk
dc.subjectполикристаллическая пленкаuk
dc.subjectэнергия активацииuk
dc.subjectмиграция ионовuk
dc.subjectпредэкспоненциальный множительuk
dc.subjectдиффузияuk
dc.subjectсубмикронные пленкиuk
dc.titleО микромеханизмах электродиффузионных отказов тонкопленочной металлизацииuk
dc.typeArticleuk
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Соловьев_Синкевич_Дядына.pdfСтатья6.5 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.