Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1264| Назва: | Методы адекватного моделирования микромеханизмов естественного старения полупроводниковых приборов |
| Автори: | Горин, Б. М. Ків, Арнольд Юхимович Лихман, А. В. Плотникова, Л. Г. Соловйов, Володимир Миколайович Шейнкман, М. К. |
| Ключові слова: | старение полупроводниковые транзисторы моделирование |
| Дата публікації: | 1982 |
| Видавництво: | ЦНИИ "Электроника" |
| Бібліографічний опис: | Горин Б. М. Методы адекватного моделирования микромеханизмов естественного старения полупроводниковых приборов / Б. М. Горин, А. Е. Кив, А. В. Лихман, Л. Г. Плотникова, В. Н. Соловьев, М. К. Шейнкман // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. – 1982. – Вып. 5 (156). – С. 71-74. |
| Короткий огляд (реферат): | Развита концепция естественного старения полупроводниковых транзисторов, основанная на учете электрон-решеточных взаимодействий, вызванных электронными возбуждениями в нормально функционирующем приборе. Анализирован спектр возможных электронных возбуждений и рассмотрены механизмы, приводящие к старению двух типов: макроскопическое размытие примесных профилей и микроскопическая перестройка дефектно-примесных комплексов. Указаны возможности выявления истинных механизмов старения. Предложены методы машинного и экспериментального моделирования естественного старения. |
| Опис: | 1. Вавилов В.С., Кив А.Е . Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. - М.: Наука, 1981. - 368 с. 2. Кimeгling L.C. Recombinator enhanced defect reactions. - Sol. St. Electron, 1978, v. 21, p. 1391-1401. 3. Шейнкман M.K., Корсунская H.E., Маркевич И.В., Торчинская Т.В. Фото (рекомбинационно )- стимулированное преобразование локальных центров в монокристаллах CdS и ZnSe. - В кн.: Радиационная физика полупроводников и родственных материалов. - Тбилиси: Изд-во ТГУ., 1980, с. 676-679. 4. Кив А.Е., Умарова Ф.Т. Активация диффузии атомов излучением.- В кн.: Радиационная физика неметаллических кристаллов. - Киев: Наукова думка, 1967, с. 32-37. 5. Кив А.Е., Умарова Ф.Т. К микроскопической теории диффузии в полупроводниках. - ФТП, 1970, т. 4, вып.3, с. 571-573. 6. Кив А.Е., Соловьев В.Н. Примесные комплексы - генераторы дефектов. - ФТТ, 1980, т. 22, вып. 9, с. 2575-2577. 7. Энтинзон И . Р . Вычисление действительных спектров у-лучей для промышленной у-установки. - М.: Атомная энергия, 1980, т. 48, вып. 4, с. 261-263. 8. К теории стимулированного движения дислокаций в лазерных полупроводниковых кристаллах в условиях интенсивной накачки.- М., 1980. - 30 с. Препринт (ФИАН СССР: № 120). Авт.: П.Г.Елисеев, И.Н.Завестовская, И.А.Полуэктов, Ю.М.Попов. 9. Кремниевые планарные транзисторы / Под ред. Я.А. Федотова. - М.: Сов. радио, 1973. - 336 с. 10. Жукова Г.А., Мордкович В.Н. Особенности образования радиационных дефектов у поверхности кремния, покрытой пленкой диэлектрика. - В кн.: Радиационная физика полупроводников и родственных материалов. - Тбилиси: Изд-во ТГУ, 1980, с. 829-832. 11. Frank R. , McTigue L., Provence R. Storage reliability of chip and bond wire electronic devices. - 26-th Electron Components Conf., San Francisco, Calif., 1976, S.I., p. 263-271. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1264 https://doi.org/10.31812/0564/1264 |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра інформатики та прикладної математики |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Методы адекватного моделирования микромеханизмов естественного старения полупроводниковых приборов.pdf | Статья | 8.58 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.