Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1244
Повний запис метаданих
Поле DC | Значення | Мова |
---|---|---|
dc.contributor.author | Ків, Арнольд Юхимович | - |
dc.contributor.author | Maximova, T. I. | - |
dc.contributor.author | Соловйов, Володимир Миколайович | - |
dc.date.accessioned | 2017-08-16T20:10:57Z | - |
dc.date.available | 2017-08-16T20:10:57Z | - |
dc.date.issued | 1999-10 | - |
dc.identifier.citation | Kiv A. E. Microstructure of the relaxed (001) Si surface / A. E. Kiv, T. I. Maximova, V. N. Soloviev // AM’99: Internationa Conference “Advanced Materials”. 3-7 October 1999, Kiev, Ukraine : Abstracts of Symposium B: Functional Materials for Information Recording and Radiation Monitoring. – 1999. – P. 11. | uk |
dc.identifier.uri | http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1244 | - |
dc.identifier.uri | https://doi.org/10.31812/0564/1244 | - |
dc.description | 1. F.H. Stillinger, T.A. Weber, Phys. Rev., B31, 9262 (1985) 2. P.W. Jacobs, A.E. Kiv, R.M. Balabay et al., RAU Sci. Rep., Computer modeling & New Technologies, 2, 15, (1998) | - |
dc.description.abstract | We have applied molecular dynamics method and semi-empirical potential [1] to obtain the realistic picture of Si surface layers relaxation. The starting configuration was taken as a parallelepiped containing 864 atoms. There were 12 layers with 72 atoms in each one. Periodic boundary conditions were used in two dimensions. | uk |
dc.language.iso | en | uk |
dc.subject | molecular dynamics | uk |
dc.subject | semi-empirical potential | uk |
dc.subject | angle distribution function | uk |
dc.subject | quasi-disordered phase | uk |
dc.title | Microstructure of the relaxed (001) Si surface | uk |
dc.type | Article | uk |
Розташовується у зібраннях: | Кафедра інформатики та прикладної математики |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
Kiv_Maximova_Soloviev.pdf | Abstract | 9.49 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.