Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1244
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorКів, Арнольд Юхимович-
dc.contributor.authorMaximova, T. I.-
dc.contributor.authorСоловйов, Володимир Миколайович-
dc.date.accessioned2017-08-16T20:10:57Z-
dc.date.available2017-08-16T20:10:57Z-
dc.date.issued1999-10-
dc.identifier.citationKiv A. E. Microstructure of the relaxed (001) Si surface / A. E. Kiv, T. I. Maximova, V. N. Soloviev // AM’99: Internationa Conference “Advanced Materials”. 3-7 October 1999, Kiev, Ukraine : Abstracts of Symposium B: Functional Materials for Information Recording and Radiation Monitoring. – 1999. – P. 11.uk
dc.identifier.urihttp://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1244-
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.31812/0564/1244-
dc.description1. F.H. Stillinger, T.A. Weber, Phys. Rev., B31, 9262 (1985) 2. P.W. Jacobs, A.E. Kiv, R.M. Balabay et al., RAU Sci. Rep., Computer modeling & New Technologies, 2, 15, (1998)-
dc.description.abstractWe have applied molecular dynamics method and semi-empirical potential [1] to obtain the realistic picture of Si surface layers relaxation. The starting configuration was taken as a parallelepiped containing 864 atoms. There were 12 layers with 72 atoms in each one. Periodic boundary conditions were used in two dimensions.uk
dc.language.isoenuk
dc.subjectmolecular dynamicsuk
dc.subjectsemi-empirical potentialuk
dc.subjectangle distribution functionuk
dc.subjectquasi-disordered phaseuk
dc.titleMicrostructure of the relaxed (001) Si surfaceuk
dc.typeArticleuk
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Kiv_Maximova_Soloviev.pdfAbstract9.49 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.