Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1033Повний запис метаданих
| Поле DC | Значення | Мова |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Ків, Арнольд Юхимович | - |
| dc.contributor.author | Fuks, D. | - |
| dc.contributor.author | Моісеєнко, Наталя Володимирівна | - |
| dc.contributor.author | Соловйов, Володимир Миколайович | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-09T18:29:35Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-09T18:29:35Z | - |
| dc.date.issued | 2002 | - |
| dc.identifier.citation | Kiv A. E. Silicon-aluminum bonding in Al alloys / A. E. Kiv, D. Fuks, N. V. Moiseenko, V. N. Solovyov // Computer Modelling & New Technologies. – 2002. – Volume 6, no. 1. – Pp. 47-50. | uk |
| dc.identifier.uri | http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1033 | - |
| dc.identifier.uri | https://doi.org/10.31812/0564/1033 | - |
| dc.description | [1] Douin J., Dahmen U. and Westmaccot K.H. (1991) Phil. Mag. 63 , No. 4, 867 [2] Dorfman S. and Fuks D. (1996) Composite Interfaces 3, No.5/6, 431 [3] Kiv A.E., Maximova T.I., Solovyov V.N. (2000) Comp.Modelling & New Technologies 4, No. 2, 44 [4] Pickett W.E. (1989) Comput. Phys. Rep. 9, 115 [5] Payne M.C., Teter M.P., Allan D.C., Arias T.A., Joannopoulos J.D. (1992) Rev. Mod. Phys. 64, 1045 [6] Bockstedte M., Kley A, Neugebauer J., Scheffler M. (1997) Comput. Phys. Commun. 107, 187. [7] Cresse G., Furthmuller J. (1996). Phys. Rev. B 54, 11169, [8] Von Barth U., Gelatt C.D. (1980) Phys. Rev. B 21, 2222 [9] Cohen M.L. and V. Heine V., (1970) In: Solid State Physics, Ed. By H. Ehrenreich, F. Zeitz and D. Turnbull. Academic Press, N.Y. [10] Kratzer P., Morgan C.G., Penev E., Rosa A.L., Schindlmayr A., Wang L.G., Zywietz T. (1999) FHI98MD. Computer code for density-functional theory calculations for poly-atomic systems. (program version 1.03, August 1999) [11] Kittel Ch. (1975) Introduction to Solid State Physics. John Wiley and Sons Publ. Inc. [12] Murray J. L., McAlister A. J. (1984) Bull. Alloy Phase Diagrams 5, 74 [13] von Lutz Z. (1973) Quantenchemie. Veb Deutscher Verlag. Berlin [14] Zou J. (1995) Phys. Rev. B 51, 2115. | - |
| dc.description.abstract | Ab initio calculation was performed to investigate the nature of Si-Al bonding in Al based alloys. Total electronic energy Etot for different configurations of the model cluster Si2Al6 was calculated. When the model cluster consists of two perfect tetrahedrons there is a strong influence of the Si-Si distance on the Si-Al adiabatic potential. The equilibrium distance between Si and Al atoms increases with the length of Si-Si bond increasing. It was concluded that description of Si clusters in Al matrix demands an account of the angle depending part of Si-Al interaction. | uk |
| dc.language.iso | en | uk |
| dc.publisher | Transport and Telecommunication Institute | uk |
| dc.subject | Si-Al alloys | uk |
| dc.subject | ab-initio band calculations | uk |
| dc.title | Silicon-aluminum bonding in Al alloys | uk |
| dc.type | Article | uk |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра інформатики та прикладної математики | |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| art04_kiv2_ssp_2002_vol_6_no_1.pdf | Article | 206.63 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.