Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1031
Назва: | MD simulation of the ion-stimulated processes in Si surface layers |
Автори: | Ків, Арнольд Юхимович Maximova, Tatiana I. Соловйов, Володимир Миколайович |
Ключові слова: | Si (001) surface Ab initio calculations relaxation processes disordered atomic configurations Molecular Dynamics method radiation treatment low-energy ion bombardment self-ion implantation ion irradiation surface characteristics ion beam bombardment ion-stimulated atomic processes |
Дата публікації: | 2001 |
Видавництво: | Kluwer Academic Publishers |
Бібліографічний опис: | Kiv A. E. MD simulation of the ion-stimulated processes in Si surface layers / A. E. Kiv, T. I. Maximova, V. N. Soloviev // Functional Gradient Materials And Surfase Layers Prepared by Fine Particles Technology : Proceedings of the NATO Advanced Study Institute on Functional Gradient Materials and Surface Layers Prepared by Fine Particles Technology. Kiev, Ukraine, June 18-28, 2000 / Edited by Marie-Isabelle Baraton and Irina Uvarova. – Kluwer Academic Publishers, 2001. – P. 297-303. – (NATO Science Series. Series II: Mathematics, Physics and Chemistry – Vol. 16). |
Короткий огляд (реферат): | In this paper we described calculations of relaxation processes of Si surface layers at elevated temperatures and caused by ion beam bombardment. New details in microstructure of relaxed Si surface layers are obtained. The energy dependencies of ion-stimulated atomic processes show that the most expressed effect of improvement of Si surface layers takes place in vicinity of the energy threshold for elastic atom displacement in Si lattice. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1031 https://doi.org/10.1007/978-94-010-0702-3_30 |
ISBN: | 978-0-7923-6925-7 978-94-010-0702-3 |
Розташовується у зібраннях: | Кафедра інформатики та прикладної математики |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
Kiv_Maximova_Soloviev.pdf | Article | 526.74 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.