Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1013
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorСоловйов, Володимир Миколайович-
dc.date.accessioned2017-07-07T19:06:05Z-
dc.date.available2017-07-07T19:06:05Z-
dc.date.issued1984-06-16-
dc.identifier.citationSolovev V. N. Atomic Particle Delocalisation Effect in Disordered Media / V. N. Solovev // physica status solidi (a). – 1984. – Volume 83, Issue 2. – Pp. 553-559.uk
dc.identifier.issn1862-6300-
dc.identifier.urihttp://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1013-
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.1002/pssa.2210830216-
dc.description[1] H. L. Tuller, P. D. Button, and D. R. Ulhmann, J. non-crystall. Solids 40, 93 (1980). [2] R. W. Cahn, Contemp. Phys. 21, 43 (1980). [3] C. C. Jain, B. C. Chakravarty, and S. N. Singh, Appl. Phys. Letters 38, 815 (1981). [4] N. F. Mott and E. A. Davis, Electron Processes in Non-Crystalline Materials, Clarendon Press, Oxford 1979. [5] D. Akhtar, B. Cantor, and R. W. Cahn, Acta metall. 30, 1571 (1982). [6] R. C. Bowman, Jr. and A. J. Maeland, Phys. Rev. B 24, 2328 (1981). [7] B. S. Bokstein, L. M. Klinger, I. M. Razumovskii, and E. N. Uvarova, Fiz. Metallov i Metallovedenie 51, 651 (1981). [8] B. S. Berry and W. C. Prithet, Phys. Rev. B 24, 2299 (1981). [9] D. Gupta, K. N. Tu, and K. W. Asai, Thin Solid Films 90, 131 (1982). [10] P. Valenta, K. Maier, H. Kronmuller, and K. Freitag, phys. stat. sol. (b) 106,129 (1981). [11] T. M. Reith, Appl. Phys. Letters 28, 152 (1976). [12] B. Swaminathan and K. C. Saraswat, Appl. Phys. Letters 40, 795 (1982). [13] H.-U. Shreiber and B. Grabe, Solid State Electronics 24, 1135 (1981). [14] A. B. Danilin, A. V. Dvurechenskii, I. A. Ryazantsev, P. A. Timofeev, and V. D. Verner, phys. stat. sol. (a) 65, 453 (1981). [15] B. I. Sklovskii and A. A. Efros, Electronnye svoistva legirovannykh poluprovodnikov, Izd. Nauka, Moscow 1979. [16] A. Miller and E. Abrahams, Phys. Rev. 120, 745 (1960). [17] A. E. Kiv, V. N. Solovev, and L. E. Stys, in: Ion Beam Modification of Materials, 2nd Internat. Conf., Albany (New York) 1980 (p. E29). [18] V. N. Solovev, Fiz. Metallov i Metallovedenie 54, 876 (1982). [19] L. S. Smirnova (Ed.), Fizicheskie protsesi v poluprovodnikakh, Izd. Nauka, Novosibirsk 1977.-
dc.description.abstractPossible reasons are given of the higher diffusion rates of atoms (comparatively to crystals) in disordered condensed media (in metallic and oxide glasses, polycrystalline and amorphous semiconductors). It is shown, that the diffusion coefficient exponentially depends on the disordering degree of the media. A quantum-chemical simulation of the diffusion processes in amorphous silicon is made, The results of which corresponds to the delocalisation atom effect obtained in random fields. The most characteristic experimental features of the activation processes in disordered media are analysed.uk
dc.language.isoen_USuk
dc.publisherWiley-VCHuk
dc.subjectdisordered condensed mediauk
dc.subjectmetallic and oxide glassesuk
dc.subjectpolycrystalline and amorphous semiconductorsuk
dc.subjectdiffusion coefficientuk
dc.subjectdisordering degree of the mediauk
dc.subjectquantum-chemical simulation methoduk
dc.subjectdiffusion processesuk
dc.subjectamorphous siliconuk
dc.subjectdelocalisation atom effectuk
dc.subjectdisordered mediauk
dc.titleAtomic Particle Delocalisation Effect in Disordered Mediauk
dc.typeArticleuk
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Solovev - Atomic particle delocalisation effect in disordered media.pdfArticle408.35 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.