Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1007Повний запис метаданих
| Поле DC | Значення | Мова |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Ків, Арнольд Юхимович | - |
| dc.contributor.author | Соловйов, Володимир Миколайович | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-04T19:31:44Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-04T19:31:44Z | - |
| dc.date.issued | 1981 | - |
| dc.identifier.citation | Кив А. Е. Квантовохимическое моделирование аморфного кремния / А. Е. Кив, В. Н. Соловьев // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение. – 1981. – Выпуск 2 (16). – С. 64-65. | uk |
| dc.identifier.issn | 0134-5400 | - |
| dc.identifier.uri | http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1007 | - |
| dc.identifier.uri | https://doi.org/10.31812/0564/1007 | - |
| dc.description.abstract | Методом квантовохимического моделирования исследованы равновесные конфигурации и диффузионные процессы в аморфном кремнии. В основе расчета - микрокристаллическая модель аморфной среды. В результате расчета потенциального рельефа для миграции узельных и межузельных примесей сделан вывод о том, что в разупорядоченных средах имеются облегченные условии для перемещения атомов. Это, в частности, обусловлено широким набором междоузлий, характеризующихся различной релаксацией. Установлена неустойчивость узельных положений примесей замещения, что объясняет отсутствие их электрической активности. Объяснен эффект рекристаллизации амортизированных при ионной имплантации слоев. Он связан с неустойчивостью "глубоко" разупорядоченных структур (когда нарушения "достигают" каждого отдельного тетраэдра), которые безактивационно переходят в кристаллическую фазу. (1 ил., список лит. - 6 назв.). | uk |
| dc.language.iso | ru | uk |
| dc.publisher | Харьковский ордена Ленина и ордена Октябрьской революции физико-технический институт АН УССР | uk |
| dc.subject | квантовохимическе моделирование | uk |
| dc.subject | равновесные конфигурации | uk |
| dc.subject | диффузионные процессы | uk |
| dc.subject | аморфный кремний | uk |
| dc.subject | микрокристаллическая модель аморфной среды | uk |
| dc.subject | неустойчивость узельных положений примесей замещения | uk |
| dc.subject | эффект рекристаллизации амортизированных при ионной имплантации слоев | uk |
| dc.title | Квантовохимическое моделирование аморфного кремния | uk |
| dc.type | Article | uk |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра інформатики та прикладної математики | |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Кив_Соловьев_1981.pdf | Тезисы | 656.56 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.