Abstract:
В последние годы уделяется большое внимание поиску новых материалов с уникальными физическими свойствами. Примером таких структур являются малые кластеры Si расширенного объема, а так же кремниевые структуры, близкие по физическому смыслу к фулереноподобным. Целью данной работы было исследования стабильности указанных структур на поверхности
кристаллического кремния.
Description:
1. Хеерман Д.В. Методы компьютерного эксперимента в теоретической физике: Пер. с англ. / Под. ред. С.А. Ахманова. –
М.: Наука. Гл. ред. физ.- мат. лит., 1990. – 176 с.
2. M.Z. Bazant, E. Kaxiras, Environment-dependent interatomic
potential for bulk silicon, Phys.Rev, B 56(14), 8542-8552 (1997).
3. A. Demkov, O. Sankey, K. Schmidt, Theoretical investigation of
alkali-metal doping in Si clathrates, Phys.Rev., B 50(23), 17001-
17008 (1994).
4. Максимова Т.И. Компьютерное моделирование радиационно-стимулированной стабилизации (001) Si поверхности.//
Фотоэлектроника, № 8, 1998.
5. H.Neddermeyer Scanning tunnelling microscopy of
semiconductor surfaces, Rep.Prog.Phys 59(6), 701-769 (1996).
6. Бехштедт Ф., Эндерлайн Р.Поверхности и границы раздела
полупроводников: Пер. с англ. – М.: Мир, 1990. – 488с.
7. J. Song, S. Illoa, D. Drabold, Exciton-induced lattice relaxation
and the electronic and vibrational spectra of silicon clusters,
Phys.Rev., B 53(12), 8042-8051 (1996).
8. K.Inoue, Y. Moricawa, Order-disorder phase transition on the Si
(001) surface: Critical role of dimer defects, Phys.Rev., B 49(20),
14774-14777 (1994).
