Abstract:
Рассмотрено взаимодействие подвижных нейтральных примесей с локализованными электронами в аморфном веществе. Энергетически выгодны флуктуоноподобные состояния с отличной от среднего значения концентрацией примеси в области локализации электрона. Эти состояния, названные флуктуонами, существенно отличаются по структуре от рассматривавшихся М. А. Кривоглазом флуктуонов в кристаллах. Найдены энергетические характеристики и плотность состояний флуктуонов в аморфном веществе. Предложена модель электронной структуры a-Si : Н, основанная на учете
взаимодействия подвижных атомов водорода с локализованными электронами. Это взаимодействие делает возможным существование флуктуонов, образование и распад которых при изменениях температуры или при внешних воздействиях проявляется в наблюдаемых свойствах a-Si : Н. Рассмотрено влияние флуктуонов на проводимость в различных режимах измерений.
Description:
[1] Street R. A., Kakalios J., Tsai С. С., Hays Т. М. // Phys. Rev. В. 1987. V. 35. № 3. Р. 1316-1333 [2] Kakalios J., Street R. A., Jackson W. В. //Phys. Rev. Lett. 1987. V. 59. № 9. P. 1037—1040. [3] Jackson W. B., Kakalios J. // Phys. Rev. B. 1988. V. 37. № 2. P. 1020—1023. [4] Street. R. A., Hack M., Jackson W. B. // Phys. Rev. B. 1988. V. 37. № 8. P. 4209— 4223. [5] Андреев А. А., Аблова M. С., Сидорова T. А., Казакова E. А., Пилатов А. Г., Тургунов T. T. // Неорганические материалы. 1989. T. 29. № 2. С. 263—268. [6] Голикова О. А., Андреев А. А., Казанин М. М., Мездрогина М. М., Сорокина К. Л., Феоктистов Н. А. // ФТП. 1983. Т. 17. № 7. С. 1255—1258. [7] Yang J., Choi Ch. Н., Lee Ch. //Sol. St. Comm. 1983, V. 45. № 7. P. 591—594. [8] Кривоглаз M. A. // УФИ. 1973. T. 111. № 2. C. 617—663. [9] Физика гидрогенизированного аморфного кремния / Под ред. Дж. Джоунопулоса и Дж. Люковски. М.: Мир, 1988. В. 2. 447 с. [10] Соловьев В. Н. // ФММ. 1982. Т. 54. № 5. С. 876—879; Phys. St. Sol. (а). 1984. V. 83. № 2. Р. 553—559.
