Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1278| Назва: | MD Simulation of the Ion-Stimulated Relaxation in Silicon Surface Layers |
| Автори: | Ків, Арнольд Юхимович Maximova, T. I. Соловйов, Володимир Миколайович |
| Ключові слова: | molecular dynamics microelectronics radiation treatment silicon surface |
| Дата публікації: | чер-2000 |
| Бібліографічний опис: | Soloviov V. N. MD Simulation of the Ion-Stimulated Relaxation in Silicon Surface Layers / A. E. Kiv, T. I. Maximova, V. N. Soloviov // NATO Advanced Study Institute “Functional Gradient Materials And Surface Layers, Prepared by Fine Particles Technology” : Program. Abstracts. Participants. – June 18-28, Kiev, Ukraine. – L16. – Kiev, 2000. – P. 23. |
| Короткий огляд (реферат): | Thus it was established that ion bombardment of silicon surface in the energy region of the threshold of elastic displacement of atoms might allow to improve structural characteristics of surface lavers and to decrease the relaxation time. Energy dependencies of radiation induced processes show a possibility to improve the real staicture of Silicon surface and to accelerate the long-term surface relaxation in microelectronic technology. |
| Опис: | 1. P.W. Jacobs, A.E. Kiv, R.M. Balabay et al. Computer Modeling & New Technologies (1998) Volume 2, pp.15-20. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1278 https://doi.org/10.31812/0564/1278 |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра інформатики та прикладної математики |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Kiv_Maximova_Soloviev.pdf | Abstract | 2.39 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.