Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1272
Назва: О микромеханизмах электродиффузионных отказов тонкопленочной металлизации
Автори: Соловйов, Володимир Миколайович
Синкевич, В. Ф.
Дядына, Г. А.
Ключові слова: теория протекания
перколяция
ионная проводимость
поликристаллическая пленка
энергия активации
миграция ионов
предэкспоненциальный множитель
диффузия
субмикронные пленки
Дата публікації: 1985
Бібліографічний опис: Соловьев В. Н. О микромеханизмах электродиффузионных отказов тонкопленочной металлизации / В. Н. Соловьев, В. Ф. Синкевич, Г. А. Дядына // Журнал технической физики. – 1985. – Т. 55, в. 2. – С. 348-353.
Короткий огляд (реферат): Теория протекания привлечена для вычисления ионной проводимости поликристаллической пленки. Показано, что кинетику электродиффузионных отказов тонкопленочной ме­таллизации определяет зависящая от степени структурного совершенства пленки энергия активации миграции ионов. Получено выражение для предэкспоненциального множителя коэффициента диффузии. В субмикронных пленках обнаружено возрастание энергии активации за счет изменения топологии "путей протекания" ионов. Экспериментальные данные по времени наработки удовлетворительно согласуются с развитыми представлениями.
Опис: [1] Колешко В. М., Белицкий В. А . Массоперенос в тонких пленках. Минск: Наука и техника, 1980. 428 с. [2] Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции / Под ред. Поута Дж., Ту К., Мейера Дж. М.: Мир, 1982. 576 с. [3] Нечаев А. М., Рубаха Е. А., Синкевич В. Ф. Механизмы отказов и надежность мощных СВЧ транзисторов. — Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, 1978, в. 10 (577), с. 1— 80. [4] Бонч-Бруевич В. Л., Звягин И. П., Кайпер Р. и др. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. М.: Наука, 1981. 384 с. [5] Шкловский Б. И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979. 416 с. Р Л [6] Соловьев В. Н. Диффузия в аморфных металлических слоях. — ФММ, 1982, т. 54 № 5 с. 876—879. [7] Schreiber H.-U., Grabe В. Electromigration measuring techniques for grain boundary diffusion activation energy in aluminum. — Solid State Electron., 1981, v. 24, № 12, p. 1135-1146. [8] Pierce J. M., Thomas M. E. Electromigration in aluminum conductors which are chains of single crystals. — Appl. Phys. Lett., 1981, v. 39, № 2, p. 165— 169. [9] Christon A., Anderson W. T. Jr., Bark M. L. et al. Reliability of amorphous metallizations for GaAs FETS. — In: 20th Ann. Proced. Reliab. Phys., Calif., San-Diego, 1982, p. 188 — 193.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1272
https://doi.org/10.31812/0564/1272
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Соловьев_Синкевич_Дядына.pdfСтатья6.5 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.