Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1262
Назва: Потенциальный рельеф в бинарных кристаллах
Автори: Соловьев, Владимир Николаевич
Тимошенко, Т. Г.
Ключові слова: потенциальный рельеф
бинарные кристаллы
квантовохимическое моделирование
Si
Дата публікації: 1980
Бібліографічний опис: Соловьев В. Н. Потенциальный рельеф в бинарных кристаллах / В. Н. Соловьев, Т. Г. Тимошенко // Десятое заседание Постоянного семинара по моделированию радиационных и других дефектов в кристаллах : тезисы докладов. – Лиелупе, 15-17 января 1980 г. / Научный совет по проблеме «Радиационная физика твердого тела» АН СССР, Институт физики АН ЛатCCP, Криворожский государственный педагогический институт ; [ред. Шварца К.К.] – Лиелупе, 1980. – С. 17.
Короткий огляд (реферат): Рассмотрены вопросы, связанные с построением потенциаль­ного рельефа в попарно-аддитивном приближении для гетеросоединения. Подобная задача возникает, в частности, при исследовании поведения примесей в насыщенных системах . Проанализированы два случая: сильной и слабой ковалентности. В первом случае эффективные заряды остовов гетерокомпонентов мало отличаются между собой и возможен расчет потенциаль­ного рельефа согласно методике [1]. Случай слабой ковалентности требует вариационного расчета степени ковалентности соединения. На примере примесных комплексов в Si обсуждается моди­фикация алгоритмов квантовохимического моделирования [2].
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1262
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Соловьев_Тимошенко.pdfТезисы7,63 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.