Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1242
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorКів, Арнольд Юхимович-
dc.contributor.authorMaximova, T. I.-
dc.contributor.authorСоловйов, Володимир Миколайович-
dc.date.accessioned2017-08-16T19:51:00Z-
dc.date.available2017-08-16T19:51:00Z-
dc.date.issued2002-08-
dc.identifier.citationKiv A. E. Microscopic Mechanisms of Nucleatlon and Diffusion in Quenched Al-Si Alloys / Dr. A E. Kiv, Dr. T. I. Maximova, Dr. V. N. Soloviev // RQ11 - Rapidly Quenched & Metastable Materials. - Oxford University, U.K., 25-30th August 2002.uk
dc.identifier.urihttp://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1242-
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.31812/0564/1242-
dc.description.abstractSi precipitates formation in Al-Si alloys is a subject of many investigations. Al alloys are widely used as structural materials in nuclear reactors and have many other important applications.uk
dc.language.isoenuk
dc.subjectnucleationuk
dc.subjectdiffusionuk
dc.subjectcomputer simulationuk
dc.subjectvacancy defectsuk
dc.titleMicroscopic Mechanisms of Nucleatlon and Diffusion in Quenched Al-Si Alloysuk
dc.typeArticleuk
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Kiv_Maximova_Soloviev.pdfAbstract8.05 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.