Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1210
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorAldabergenova, S. B.-
dc.contributor.authorFeokstistov, N. A.-
dc.contributor.authorKarpov, V. G.-
dc.contributor.authorKoughia, K. V.-
dc.contributor.authorPevtsov, A. B.-
dc.contributor.authorСоловйов, Володимир Миколайович-
dc.date.accessioned2017-08-01T21:39:31Z-
dc.date.available2017-08-01T21:39:31Z-
dc.date.issued1990-
dc.identifier.citationAldabergenova S. B. Thermally Induced Metastable Processes in Amorphous Hydrogenerated Silicon. Fluction Model of a-Si:H / S. B. Aldabergenova, N. A. Feokstistov, V. G. Karpov, K. V. Koughia, A. B. Pevtsov, V. N. Solovijev // Transport, Correlation and Structural Defects / Edited by Hellmut Fritzsche. – Singapore, New Jersey, London, Hong Kong : World Scientific, 1990. – Pp. 129-158. – (Advances in Disordered Semiconductors, Vol. 3).uk
dc.identifier.isbn9971-50-973-3-
dc.identifier.urihttp://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1210-
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.1142/9789814368377_0004-
dc.description8. A.A. Andreev, T.A. Sidorova, E.A. Kazakova, M.S. Ablova, A. Ya. Vinogradov, Fiz. Tech. Poluprov. 20. 1469 (1986); Sov. Phys. Semicond. 20. 1469 (1986). 9. ZE. Smith and S. Wagner, Phys. Rev. Lett. 52. 688 (1987). 10. K. Shepard, ZE. Smith, S. Aljishi and S. Wagner, Appl. Phys. Lett 25. 1644 (1988). 11. T.J. McMahon and R. Tsu, Appl. Phys. Lett. 5L 412 (1987). 12. V.G. Karpov. V.N. Solovijev, Fiz. Tverdogo Tela, 2L 5 (1989); Sov. Phys. Solid. State, 2L 5 (1989). 13. T. Tiedje, 1984, in "The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II", edited by J.D. Joannopoulos and G. Lucovsky (Springer-Verlag, Berlin, 1984) P 14. R.A. Street, C.C. Tsai, J. Kakalios and W.B. Jackson, Philos. Mag. B 56. 305, (1987). 15. M. Vanecec, J. Kocka, J. Stuchlik, Z. Kozisek, O. Stika, A. Triska, Sol. Energy Mater. 8, 411 (1983). 16. P.W. Anderson, B.I. Halperin and C.M. Verma, Philos. Mag. 25. 1 (1975). 17. "Amorphous Solids: Low Temperature Properties", ed. by W.A. Phillips (Springer-Verlag, Berlin, 1981). 18. M. Stutzmann, W.B. Jackson and C.C. Tsai, Phys. Rev. B 22, 23 (1985). 19. D. Redfield, J. Non-Cryst. Solids 97/98. 783 (1987). 20. L. Ley, 1984, in "The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II", edited byJ.D. Joannopoulos and G. Lucovsky (Springer-Verlag, Berlin, 1984) p 21. M.A. Krivoglaz, Uspehi Fiz. Nauk, 111. 617 (1973) (in Russian). 22. R.A. Street, Adv. in Phys. 20. 593 (1981). 23. V.N. Solovijev, Phys. Stat. Solidi (a) 82. 553 (1984). 24. D.L. Staebler and C.R. Wronski, J. Appl. Phys. 5L 3262 (1980).-
dc.description.abstractIn this paper we discuss some new experimental results regarding the changes in the electronic properties of undoped a-Si:H under different conditions of thermal annealing and cooling which govern hydrogen diffusion. The following interpreta­tion consists of two parts: the first is a phenomenological model and the second is its microscopic concretization. The proposed phenomenological model is free from assumptions about the detailed mechanism of the interaction between electrons and the hydrogen subsystem.uk
dc.language.isoenuk
dc.publisherWorld Scientificuk
dc.relation.ispartofseriesAdvances in Disordered Semiconductors;3-
dc.subjecthydrogen diffusionuk
dc.subjecthydrogenated amorphous siliconuk
dc.subjectfiuctuonic statesuk
dc.titleThermally Induced Metastable Processes in Amorphous Hydrogenerated Silicon. Fluction Model of a-Si:Huk
dc.typeBook chapteruk
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
9789814368377_S.pdfArticle7.12 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.